磁控溅射制备磷掺杂氧化锌薄膜及其性质的研究

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【摘要】

：

氧化锌是一种宽带隙半导体(3.37eV),具有大的激子束缚能(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,被认为是制备紫外发光和发光二极管的理想材料,在压电器件,紫外发光探测器,气敏传感器等方面都有十分重要的应用。因此,成为近年来继GaN之后宽带隙半导体研究领域的热点课题。本论文针对氧化锌(ZnO)研究中的“磷掺杂p型ZnO的制备和性能”问题展开研究工作。采用磁控溅射方法,以高纯的Ar和O_2为溅

【作者】

：

黄开文

【机构】

：

哈尔滨工业大学

【发表日期】

：

2010年06期

【关键词】

：

p型氧化锌磁控溅射快速热退火光致发光

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