相变存储器（PCM）在被公认为下一代最具前景的非易失性存储器之一。相变存储材料是PCM的核心,对PCM的性能优化至关重要。目前研究最多的相变材料是传统Te基硫族化合物,其数据保持力较低、功耗较高等问题限制了它们在PCM中的广泛应用。本文针对这些问题,系统地研究了低功耗、高稳定性的Sb-Se基相变存储材料,包括二元Sb-Se薄膜及用于可调制光存储的（VO₂）_x（Sb₂Se）_100-x复合薄膜。本文的研究结果为后续发展高稳定性、低功耗、具有高光学开关比的相变存储器提供了借鉴和指导意义。具体研究结果如下:1在Sb-Se相变薄膜中优化出相变综合性能俱佳的Sb₄₇Se₅₃组分。其结晶温度和十年数据保持温度分别可达241℃和141.8℃,表明薄膜具有较高的热稳定性。所有薄膜的霍尔系数均为正值,表明SbSe薄膜属于P型导电。晶态薄膜的光学带隙随Sb含量的增加而减小,表明导电活化能降低,非晶态薄膜的光学带隙随Se含量的增加而增大,非晶带隙的加宽增强了薄膜的导电性。Sb-Se薄膜具有较大的非晶与晶态的光学带隙差异,有利于提高器件的开关比。另外,两态在1.7-25μm光谱范围中展现出的较大的折射率差异,使其可应用于可调谐光子器件,如光开关和光存储器件。2提出了在UV-VIS-NIR光谱范围内可用于光学可调器件的（VO₂）_x（Sb₂Se）_100-x复合薄膜。其最高结晶温度和十年数据保持温度分别为240℃和162.4℃,表明其较好的热稳定性。这源于（VO₂）_x（Sb₂Se）_100-x薄膜中形成了具有较高键焓Sb-V和Se-V键,稳定的化学键在加热过程中不容易被破坏。其较大的非晶带隙（0.820 eV）对于光学开关特性至关重要。（VO₂）_x（Sb₂Se）_100-x复合薄膜在两态之间光学对比度的大小主要取决于共振键系数。共振键系数随VO2含量的增加而减小,同时导致非晶与晶态薄膜间的光学对比度降低。可通过优化VO₂与Sb₂Se之间的组分比,来获得（VO₂）_x（Sb₂Se）_100-x薄膜足够大的光学开关比,从而实现其在可调光子器件领域中的应用。（VO₂）₂₀（Sb₂Se）₈₀和（VO₂）₂₅（Sb₂Se）₇₅组分的薄膜具有俱佳的相变综合性能,是值得推荐的优化组分。