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高纯铝靶材被广泛应用于半导体器件制造行业,靶材的制备除了对高纯铝的纯度有要求外,还要求有细小均匀的晶粒组织,以及高比例的(001)取向。本文研究了高纯铝在不同轧制及退火工艺制度下微观组织与织构的演变,探讨了动态再结晶行为对高纯铝靶材组织与织构的影响。研究了轧制及退火工艺对高纯铝组织与织构的影响,结果表明:轧制过程中采用大的道次加工量相较于小的加工量更易产成均匀的组织;退火温度与退火时间均对高纯铝组织有着较大的影响,最优的退火工艺为240℃下保温3小时;随着冷轧形变量的增大,退火组织中(001)取向晶