SiGe技术利用SiGe／si之间的带隙差和晶格失配率，将能带工程与应变工程引入si基器件与集成电路的制造当中，提高了器件载流子迁移率和器件结构设计的灵活性，从而增强了si基器件电学性能，为si集成电路的持续发展提供了一条有效的途径。本文从弛豫si与SiGe材料的基本物理特性与应变SiGe材料的制备工艺入手，分析了应变SiCe材料的应力引入机制，基于弛豫si与SiGe材料的能带结构，重点研究了应变SiGe材料空穴迁移率增强机制，建立应变SiGe材料的迁移率、介电常数、价带带隙差等主要物理参数的解析模型；基于器件物理，结合应变SiGe PM()s结构与制造工艺特点，采用耗尽层近似建立了量子阱沟道应变SiGe PM()s的阈值电压模型，该模型反映了衬底与沟道掺杂浓度，沟道锗组分，硅帽厚度等物理与几何结构参数对阈值电压的影响；在以上研究的基础上，研究分析了应变SiGe材料制备温度与生长速度、离子注入能量与剂量、快速热退火时间与温度等关键工艺参数对量子阱沟道应变Si(}ePMOs器件物理、电学特性的影响；最后利用工艺仿真SilvaCO软件对器件性能与制备工艺进行仿真、优化，获得了优化的量子阱沟道应变SiGe PMOs器件制备工艺步骤与工艺条件，以及性能增强的器件结构模型，为应变SiGe器件的制造与应用奠定了技术基础。