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高性能应变SiGe PMOSFET器件结构设计与关键工艺研究
SiGe技术利用SiGe/si之间的带隙差和晶格失配率,将能带工程与应变工程引入si基器件与集成电路的制造当中,提高了器件载流子迁移率和器......
学位
应变SiGe
PMOSFEI
量子阱沟道
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