氧化镓材料是一种新一代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿电场高等特点。严格意义上讲,氧化镓材料并不是一种新型材料,早期的对氧化镓材料的研究可追溯到二十世纪五六十年代。半个世纪以来围绕氧化镓材料的研究始终不曾停止。近年来,随着氧化镓单晶生长技术的不断突破和外延技术的日趋成熟,氧化镓材料吸引了越来越多的目光。2014年,一种利用机械剥离制作场效应晶体管的方法被发现,基于机械剥离的氧化镓场效应管显现出了巨大的潜力和重要的作用。本文研究了氧化镓材料机械剥离的技术,探索了三种将剥离所得的薄片转移至异质衬底的方法,利用制得的氧化镓薄片制成了背栅场效应晶体管。在器件的转移特性曲线中,阈值电压随着测量起始电压的变化而明显变化。在往复测量过程中,观察到了明显的滞回特性。在-40 V~40 V测量中器件表现为常开型,而40 V~-40 V测量时表现为耗尽型,阈值电压漂移高达40 V。在输出特性的测量过程中,当栅极悬空时,在高漏电压下的直流电流-电压特性曲线,表现出了明显的饱和电流不稳定和二次跳变现象。通过对这种先行的研究,认为造成这种现象的原因为——氧化镓和二氧化硅绝缘层不紧密的物理接触界面吸收空气中的水和氧气形成一层电荷容纳层,导致了器件阈值电压的漂移和高电压下电流-电压曲线不稳定性和二次跳变。