由于臭氧层对200～320nm波段的紫外光具有极大的吸收系数,因此,在近地面几乎没有此波段的紫外线,我们称之为日盲紫外区。对日肓区紫外光的探测,可以抗太阳干扰全天候工作,在导弹预警、火箭尾焰探测、太空探测、电晕探测、生物医疗等领域都具有极强的应用需求。β-Ga2O3足一种光学带隙处于4.2eV～4.9eV之间的直接带隙宽禁带氧化物半导体,其良好的化学和热稳定性,且对在高温下对某些气体特别敏感,在日盲紫外探测器、高温气敏传感器、深紫外光透明导电氧化物有很强的研究价值,已成为国内外一个研究热点。本论文采用脉冲激光沉积技术在p型Si衬底上生长出高质量的/β-Ga203薄膜,构建出β-Ga2O3//p-Si异质结光电探测器件,并对其光电性能进行系统的研究。本文深入地调研了 Ga2O3,研究了其结构和性质,结合国内外研究现状,对β-Ga2O3生长方法和光电探测原理做了深入研究,取得如下·些结果:1.运用激光分子·束外延技术,通过实验优化生长参数,在p型Si衬底上获得了高质量的(-201)取向的β-Ga2O3薄膜;2.采用磁控溅射技术,在β-Ga2O3/p-Si上下表面分别镀Ti-Au和Au电极,获得β-Ga2O3//p-Si异质结光电探测原型器件;3.对β-Ga203/p-Si异质结光电探测原型器件的光电性能进行测试分析,发现其具备优异的光电性能,对254nm的日盲紫外光响应光暗比(I254/IdarA)接近1000,响应时间为1.79s,响应度高达370A/W,外量子效率为1.5×105%;4.对β-Ga2Cb/p-Si异质结光电探测原型器件的光电性能进行系统的分析,指出器件对254nm的日盲紫外光极高的响应度与β-Ga2O3/p-Si异质结内部的雪崩过程有关。