随着高功率脉冲技术的飞速发展,小型化、集成化以及高的能量密度成为了电介质电容器未来的发展方向。Pb（Zr,Ti）O₃等铅基反铁电材料具有优异的储能特性,但是日益严峻的环境问题使得探索一种环保的无铅反铁电储能材料成为材料科学领域的研究热点。铌酸银（AgNbO₃,简称AN）近来被认为是最有潜力的反铁电储能材料,其稳定的反铁电特性和高居里温度(T_M3-O=353 ^oC)让其成为一种储能密度高（～2 J/cm³）和温度稳定性好的储能材料。如何进一步提升AN基陶瓷的储能密度和效率成为目前研究的热点和难点。本文从电介质电容器实用化的要求出发,围绕AgNbO₃基反铁电陶瓷的储能性能、温度稳定性以及机理等方面开展了系统的研究。提出利用“异价A位工程”降低铌酸银钙钛矿结构的容忍因子并提高其反铁电稳定性的新思路。分别探索了二价碱土元素Ba²⁺、Sr²⁺以及Ca²⁺取代AN的A位Ag⁺后对其晶体结构和储能性能的影响。结构分析以及介电和铁电测试发现掺杂后的AN具有更稳定的反铁电相。稳定的反铁电相和高的击穿场强（≥190 k V/cm）使得改性后的AN陶瓷最优储能密度从纯的AN的1.8 J/cm³分别提升到了2.3 J/cm³、2.9 J/cm³和3.55 J/cm³。在碱土元素掺杂后电滞回线更加细化,使得该类陶瓷的储能效率大幅提升。而且,碱土元素掺杂的AN陶瓷的储能性能具有优异的温度稳定性。因此,“异价A位工程”是一种可以有效提升AN储能性能的新思路。（见第三章）为了进一步提高AN基陶瓷的储能性能,成功制备了三价稀土元素La³⁺和Sm³⁺改性的AgNbO₃陶瓷。掺杂后其反铁电相更加稳定,击穿场强提高到240 k V/cm以上。尤其是Sm改性后AN陶瓷不仅实现了5.2 J/cm³超高的储能密度和69.2%的储能效率,为目前所报道最高值。而且其储能性能具有优异的温度稳定性。此外,该类材料还拥有超高的放电能量密度（4.2 J/cm³）和超快的放电速率（～20μs）。以上结果表明镧系元素掺杂的AN陶瓷是一类极具潜力的无铅介电电容器材料（见第四章）为了探求反铁电稳定性增强的内在机理,以A/B位共掺杂的Ag_1-3xSm_xNb_1-yTa_yO₃为例进行了深入研究。通过XRD精修等手段获取了Ag1和B位离子位移和[Nb O₆]氧八面体倾斜等晶体信息,揭示了AgNbO₃反铁电稳定性与晶体结构之间的更内在的关联。（见第五章）