声表面波器件具有小型化、频率高、带宽大、可进行实时信号处理等优点。随着微电子、通信及其它领域的迅速发展，人们对高频高性能声表面波器件的要求也越来越高。而若研究这种高频声表面波器件，对压电材料的研究就是至关重要的。AlN具有优异的物理、化学特性，适用于高频声表面波器件，因此，对AlN薄膜的制备及压电特性的研究是很重要的。本文采用射频磁控溅射法制备了（100）择优取向生长的AlN薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）分析了薄膜结构特性，研究了工作压强和溅射功率对制备的影响。利用压电力显微镜(PFM)对AlN薄膜的形貌和压电性能进行了表征，分析了（100）择优取向生长的AlN薄膜的压电性能。主要研究内容如下：（1）采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底（含Au导电层）上制备（100）取向的AlN薄膜；（2）研究了工作压强对制备的AlN薄膜性能的影响。结果表明，一般情况下，增加工作气压能够提供给（100）择优取向的AlN薄膜更好的生长气氛；（3）研究了溅射功率对制备的AlN薄膜性能的影响。结果表明，一般情况下，减小溅射功率能够提供给（100）择优取向的AlN薄膜更好的生长气氛；（4）通过PFM测试，发现（100）择优取向的AlN薄膜的压电性主要表现在薄膜面内方向上。对于AlN来说，c轴方向为极轴方向，沿此方向施加机械力，会在（002）面上产生最强的电荷；而沿垂直于极轴的a轴方向施加机械力，在（100）面上不产生电荷，仍在（002）面上产生电荷。