单层二硫化钼（Monolayer Molybdenum Disulfide,ML-MoS₂）是一种具有直接带隙的半导体材料,通过功能化修饰ML-MoS₂,能够实现带隙在较宽范围内的可控调节,为其在光电磁器件方面提供了广阔的应用前景,已成为当前国内外研究的热点。叠茂纳米线如一维（VBz）_n纳米线由于具有半金属性、磁性等优异的特性,在电子器件和磁性材料中有广泛的应用,因而叠茂纳米线也是最为重要的功能材料之一。将叠茂纳米线共价接枝到ML-MoS₂上形成异质结可以增强材料的输运性质,拓展材料的应用范围,但有关叠茂与ML-MoS₂共价功能化得到复合材料的研究尚少见报道。本文采用密度泛函理论（Density Function Theory,DFT）并结合非平衡格林函数（Non-Equilibrium Green’s Function,NEGF）的方法,通过两种不同的叠茂纳米线（VBz）_n和(VC₂₄)_n共价接枝到ML-MoS₂上得到异质结,研究两类异质结的电子结构及输运性质。为了进行比较,也对无V的（Bz）_n和(C₂₄)_n共价功能化ML-MoS₂表面形成异质结的输运性质进行探索,具体内容如下:第一,研究ML-MoS₂单侧接枝（VBz）_n纳米线后形成（VBz）_n/MoS₂的电子结构和输运性质。（Bz）_n和（VBz）_n单侧接枝到ML-MoS₂在热力学上是可行的。铁磁性的（VBz）_n/MoS₂中V原子磁矩为1.32μ_B,高于纯的（VBz）_n纳米线（S=1.0μ_B）。（Bz）_n接枝到ML-MoS₂表面后,体系由半导体转变为导体。当引入V之后,（VBz）_n/MoS₂呈现出铁磁性和反铁磁性两种简并稳定态,导电性明显增强。铁磁性的（VBz）_n/MoS₂表现出明显的自旋极化输运特征,自旋向下态比自旋向上态具有更高的导电性。（Bz）_n/MoS₂和（VBz）_n/MoS₂均保留ML-MoS₂各向异性的导电特征,锯齿方向的电子传递优于扶手椅方向。第二,研究ML-MoS₂双侧接枝（VBz）_n纳米线后形成（VBz）_n/MoS₂/（VBz）_n的电子结构和输运性质。考虑到不同的接枝位点和V-V之间的磁耦合作用,共优化得到68种构型,确定最稳定的铁磁性（VBz）_n/MoS₂/（VBz）_n构型为研究对象,V原子磁矩为1.21μ_B,与单侧接枝的铁磁性（VBz）_n/MoS₂的磁矩接近。双侧接枝的（VBz）_n/MoS₂/（VBz）_n的电导率为铁磁性的（VBz）_n/MoS₂电导率的2倍,表明（VBz）_n纳米线接枝密度的增加可以提高材料的导电性。与铁磁性（VBz）_n/MoS₂相同,（VBz）_n/MoS₂/（VBz）_n仍具有明显的自旋极化输运特征;与（Bz）_n/MoS₂不同的是,双侧接枝的（Bz）_n/MoS₂/（Bz）_n的输运也表现出自旋极化的特征,且自旋向下态的导电性优于自旋向上态。第三,研究ML-MoS₂单侧接枝(VC₂₄)_n形成(VC₂₄)_n/MoS₂的电子结构和输运性质。(VC₂₄)_n/MoS₂的铁磁性构型为最稳定结构。(VC₂₄)_n/MoS₂中V原子的磁矩可达到2.51μ_B,远高于（VBz）_n/MoS₂中的V原子的磁矩（1.32μ_B）。ML-MoS₂表面接枝(C₂₄)_n后,(C₂₄)_n/MoS₂导电性增强,且呈现出自旋极化的输运特征:自旋向上态呈现出金属性,自旋向下态显示出半导体性,(C₂₄)_n/MoS₂表现半金属性。引入V之后,(VC₂₄)_n/MoS₂导电性进一步增强。(C₂₄)_n/MoS₂和(VC₂₄)_n/MoS₂导电性也呈现出与ML-MoS₂相同的各向异性。本文研究结果表明,叠茂纳米结构（VBz）_n和(VC₂₄)_n共价接枝到ML-MoS₂表面能够很好地调控材料的电子输运性质,并且能够引入自旋极化的输运性质和磁性,这为设计开发新型的电子信息材料提供理论线索。