微电子工业的飞速发展使人们对电子封装基片材料的要求越来越高，必须制备出高质量的低温共烧封装基片材料，玻璃/莫来石复合材料是一种重要的低温共烧封装基片材料，国内对这方面的研究还比较少。本论文的主要任务是采用溶胶－凝胶法制备高质量的莫来石粉末和制备低介电常数的玻璃粉，使两种原料复合制备出玻璃/莫来石复合材料并研究其性能。溶胶－凝胶法是一种重要的制备粉体的方法。在溶胶-凝胶法制备莫来石粉末过程中，我们以正硅酸乙酯和硝酸铝为主要原料，采用该法制得了莫来石粉末，该粉末纯度很高，粒径较小并且分布均匀，我们按该法制得了约600g莫来石粉料，为接下来的实验打下了基础。在制粉过程中，我们借助XRD、DSC、IR、SEM等现代化测试手段，制定了工艺参数，研究了溶胶－凝胶形成机理及过程、干凝胶在热处理过程中向莫来石转变的过程，并对形成的粉末进行了粒径测试。干凝胶向莫来石的转变过程是：无定形→硅铝尖晶石→莫来石，制得的粉末平均粒径为0.54μm。沉淀法也是一种制备莫来石粉末的有效方法，在实验过程中，我们也采用该法制得了莫来石粉末，并和溶胶－凝胶法作了比较，结果发现采用沉淀法制备莫来石粉末其沉淀需要更高的热处理温度，并且制得粉末的粒径较粗、粒径分布范围较宽。作为低介常数的玻璃粉料，采用SiO2、硼酸等为原料，通过熔融、 研磨制得了玻璃粉料，其介电常数约为4.0，介质损耗为10×10－4。共熔制了约800 g玻璃料，为玻璃/莫来石复合材料的制备提供了原料保障。在制备玻璃/莫来石复合材料的过程中，我们研究了烧成后径向收缩率、试样的抗弯强度、介电常数、介质损耗及其影响因素，并测试了试样的热膨胀系数，通过SEM观测烧成试样的内部结构情况，找出性能和结构之间的关系。研究结果表明，当莫来石的含量为50 wt%、烧成温度为1000℃时，制得的玻璃/莫来石复合材料其介电常数约为4.6，介质损耗约为65×10－4，抗弯强度约为91Mpa。