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本论文采用InCl3溶液的热分解法制备出大面积均匀生长的InOCl纳米片状结构,通过水热法制备了In掺杂的CdS花状结构和Zn掺杂的CdS纳米树枝结构。采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、紫外-可见近红外吸收光谱仪、透射电子显微镜对其形貌和微结构进行了表征分析。研究了所制备的In掺杂的CdS花状结构和不同Zn掺杂量的CdS纳米树枝结构的光学吸收性质以及所制备的InOCl纳米片状结构和In、Zn掺杂的CdS光催化降解孔雀石绿的性质,探讨了纳米结构的微结构与性能之间的关系。这些结果为卤氧化物和掺杂纳米结构材料的制备、物理化学性能研究以及在光电子、稀磁半导体、太阳能电池、光催化等领域的应用奠定了基础。具体研究结果如下：(1) InOCl纳米片状结构的制备及其光催化性质：通过InCl3溶液400℃的直接水解反应在单晶Si衬底上低温合成出大面积均匀生长的正交相InOCl纳米片状结构。片状结构的宽度在1.5-2.5μm范围,厚度在75-93nm范围。。研究产物的光学吸收性质,发现其吸收边大约为284nm, XRD分析表明所制备纳米片属于正交相InOCl结构。研究了InOCl纳米片的光催化降解孔雀石绿染料的性质,发现其光催化特性明显优于商业TiO2粉末。(2)In掺杂的CdS花状结构的制备及其光催化性质：通过CdCl2、InCl3和硫脲在水体系中180℃水热反应制备出In掺杂的CdS花状结构。研究了In掺杂的CdS花状结构的光学吸收性质和光催化降解孔雀石绿染料的性质。发现其吸收边相对于纯相CdS发生明显红移,其光催化特性明显优于纯相CdS纳米树枝状结构和商业CdS粉末。(3)Zn掺杂的CdS纳米树枝状结构的制备及其光催化性质：通过CdCl2、ZnCl2和硫脲在水体系中180℃水热反应制备出Zn掺杂的CdS纳米树枝状结构。研究了Zn掺杂的CdS纳米树枝状结构的光学吸收性质和光催化降解孔雀石绿染料的性质。发现其吸收边相对于纯相CdS发生明显蓝移,而且蓝移的程度随着掺杂量的增加而逐渐增加,其光催化特性明显优于纯相CdS纳米树枝状结构和商业CdS粉末。