随着第五代移动通信技术的迅速发展,对器件的尺寸和性能要求越来越高,而滤波器在通信系统中演着十分重要的角色,常常被用于锁相环反馈回路和抑制混频后产生的镜像干扰,因此,高性能且小型化的滤波器设计就显得尤为重要,也是学术界与工业界的研究重点。低温共烧陶瓷(LTCC)技术和砷化镓衬底的集成无源器件(IPD)技术十分有利于器件的小型化设计,前者允许设计者在第三个维度上进行设计,后者能够满足对元件尺寸的高精度要求。本文基于以上两种技术分别设计了一款S波段小型化集总低通滤波器和一款K波段的新型无反射带通滤波器,主要工作内容如下:(1)对多层节介质结构下的电感电容结构进行了研究,给出了常见的电感电容模型及其等效电路,对模型中各参数的提取方法进行了分析,并采用LTCC技术,设计了一款基于椭圆函数拓扑的小型化集总低通滤波器,其截止频率为3.9GHz,带内回波损耗优于17dB,滤波器的物理尺寸为 3.65mm×2.9mm×1.5mm(0.047 λg×0.037 λg×0.019 λg)。(2)提出了一种由Lange耦合器和反射式滤波器构成的无反射带通滤波器结构,对其无反射原理进行了分析,并且将反射式滤波器和无反射滤波器的抗负载迁移能力进行了对比研究。在此基础上,采用薄膜IPD技术,分别设计了一款反射式的小型化K波段带通滤波器和3dBLange耦合器,其中带通滤波器采用了折叠式的网状谐振器,相比传统开口环谐振器,面积显著减小,最终组成的无反射带通滤波器的中心频率为26GHz,相对带宽约8%,带内回波损耗优于20dB,带外回波损耗在较宽的频带内均优于14dB,滤波器的物理面积尺寸为2.2mm×1.9mm(0.18λg×0.164λg)。