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阻变存储器(RRAM)以其结构简单、低功耗、高存储密度以及与传统CMOS工艺相兼容等众多优点已成为下一代非挥发性存储器的研究热点。碳纳米管自被发现以来便引起了人们的广泛关注。本论文从碳纳米材料的压阻效应着手，以期研制一种全新的非挥发性应变存储器件。本文通过对化学气相沉积方法进行优化及改善，采用特定催化剂及碳源制备出P型竹节状碳纳米管和分级结构碳纳米纤维。通过对其形貌及结构分析得出竹节状碳纳米管的基底生长机制以及分级结构碳纳米纤维的树枝型生长机制。制备单根一维纳米结构器件，分别在静态、