ZnO压敏电阻由于其优异的非线性I-V特性和高能量吸收能力,被广泛用于电气和电子电路中的过电压保护。随着电子产品向着为微型化、集成化的方向发展,多层片式氧化锌压敏电阻器（Multilayer Varistor）受到越来越多的关注。本文对低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料展开了研究,以期用于制造低成本、高可靠、纯银内电极多层氧化锌压敏电阻器。氧化硼对氧化锌压敏陶瓷有很好的促进烧结作用,由于氧化硼、硼酸或硼酸锌都会与有机粘合剂发生反应,在一般压敏陶瓷材料配方中只能加入微量,不足以达到降低材料烧结温度的目的。本论文采用添加B4C的办法,避免了含硼化合物与有机粘合剂的反应,引入的B4C在较高温度（500-700℃）氧化形成氧化硼,实现了氧化锌压敏陶瓷材料的低温（低于900℃）烧结。论文研究了B4C添加量对材料烧结特性及电性能的影响,于840℃的烧结温度下,成功制备了具有较高压敏电压梯度、非线性特性优良的氧化锌压敏陶瓷。本文首先研究了在840℃的烧结温度下,B4C掺杂对压敏电阻的密度、物相组成、微观形貌、电性能以及微观电学参数的影响。实验发现,B4C的掺杂量变化引起样品的微观结构均匀性的改变,并对样品的晶粒尺寸有着明显的调控作用。掺杂0.75 wt%B4C的样品的综合性能最优:致密度达到97%,非线性系数α为55.57,压敏电压梯度E1mA为1120.43 V/mm,漏电流IL为0.91μA。又研究了烧结温度和保温时间对烧结后样品的密度和电性能的影响,采用烧结温度840℃和保温时间90 min制备了综合电性能优良的压敏陶瓷样品,其压敏电压梯度E1mA为995.38 V/mm,非线性系数α达到56.03,漏电流IL低至0.87μA。本文还研究了SiO2掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能和微观结构的影响。实验发现,少量掺杂SiO2（0～0.5 wt%）,可使得氧化锌压敏陶瓷样品的电压梯度得到有效地提升,从995.38升至最大1359.58 V/mm。但陶瓷样品的非线性系数以及漏电流会劣化,而当SiO2的添加量为0.5～1.0 wt%时,陶瓷晶粒的均匀性和电性能均有所改善,添加1.0 wt%SiO2的样品压敏电压梯度E1mA达到1270.22 V/mm,非线性系数α为32.8,漏电流IL为4.16μA。