硫脲硫酸锌（Zn[CS（NH₂）₂]₃SO₄，简称ZTS）作为一种新型的半有机非线性光学晶体。它具有高的激光损伤阈值、宽的光透过范围及低的角度灵敏性等优点，能够被广泛应用于二次谐波激光发生器。随着学者对ZTS晶体生长及性能等方面的深入研究，使其有望成为非线性光学领域的重要材料。ZTS晶体也存在溶解度小及生长速度慢等缺点。近年来，国内外学者对ZTS晶体的研究主要集中在各种添加剂对晶体质量及光学性能的影响上，而如何提高晶体生长速度，还没有找到很有效的方法。因此，在保证ZTS晶体质量要求的前提下，缩短生长周期以快速生长出大尺寸ZTS晶体是重点研究方向。本论文从ZTS晶体台阶推移与法向生长两个方面，对L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体的生长动力学进行了研究。论文的主要内容总结如下：①实验测定了不同L-丙氨酸掺杂浓度下ZTS晶体的溶解度曲线。发现随温度的升高，掺杂后溶解度增加。②利用光学显微镜实时观测了不同生长情况下ZTS晶体（100）面的台阶推移。分析了L-丙氨酸、过饱和度及生长温度对台阶推移速度的影响。实验表明：随掺杂浓度的增加，台阶平均推移速度先增大后减小，在掺杂浓度为2mol%时，台阶推移速度最大；计算了台阶动力学系数与单台阶的活化能，得到掺杂后，台阶动力学系数增大，单台阶活化能减小。根据台阶动力学系数的定义，计算得到掺杂与未掺杂下ZTS晶体台阶活化能的范围。③对不同L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体（100）面、（010）面及（001）面的法向生长速度进行了测定。随掺杂浓度的增加，ZTS晶体（100）面的法向生长速度先增大后减小，（010）面及（001）面的先减小接着增大最后降低，在掺杂浓度为2mol%时，ZTS晶体三个面的法向生长速度都最快；且随溶液过饱和度的增加，ZTS晶体（100）面、（010）面及（001）面法向生长速度线性增加，在生长温度为25℃，过饱和度为2%—6%之间，ZTS晶体（100）面的法向生长速度与过饱和度的关系满足BCF生长模型，而（010）与（001）面的法向生长速度与过饱和度的关系满足连续生长模型。根据晶体生长动力学理论，分别得到掺杂与未掺杂下ZTS晶体法向生长动力学系数，且掺杂浓度为2mol%时，ZTS晶体法向生长动力学系数最大，并计算了ZTS晶体的棱边能。