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近年来,一维（1D）半导体纳米材料,比如纳米线、纳米棒和纳米管,作为未来纳米器件的基石和纳米尺度下基础物理研究的理想平台,已经成为研究的热点。它们不仅在纳米器件的制造中具有新的物理性质和应用,也被认为是电子器件、光电器件和其他纳米器件的桥梁和功能部件。在这些应用中,半导体纳米材料的带隙是决定器件基本性能的关键物理参数,比如发光二极管和半导体激光器的工作波长。在II-VI族半导体纳米材料中,硫化锌（Zinc Sulphide,ZnS）、硒化锌（Zinc Selenide,ZnSe）、硫化镉（Cadmium Sulfide,CdS）和硒化镉（Cadmium Selenide,CdSe）等在纳米器件和光电器件中都有广泛的应用。本论文主要是研究Ag/CdS复合纳米线的增强荧光特性,具体内容如下:1.阐述论文研究背景。讲述半导体纳米材料和金属-半导体复合结构的光学特性以及应用。CdS纳米线用化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition,CVD）合成;采用X射线衍射（X-ray Diffraction,XRD）表征样品的物相结构和元素组成;用原子力显微镜（Atom Force Microscope,AFM）和场发射扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope,SEM）表征样品的表面形貌。2.Ag/CdS复合纳米线的制备。首先,将CdS纳米线分散在石英基底表面;然后进行光刻处理,使掩膜版的图案转移到光刻胶上;再采用电子束蒸发镀膜的方法,先镀约10 nm厚的氟化镁（Magnesium Fluoride,MgF2）,再镀约100 nm厚的银膜（Silver Film,Ag）;最后用丙酮溶解光刻胶,就可得到一端被Ag膜覆盖,另一端未被覆盖的CdS纳米线。3.Ag/CdS复合纳米线的光学测试。首先设计实验光路图,采用实验室设备搭建共焦显微测试系统,光学测试采用中心波长为800 nm的掺钛蓝宝石飞秒激光器（Tsunami,Spectra-Physics,20 fs and 80 MHz）;其次在相同的测试环境下:一、分别测试裸露的和Ag膜覆盖的CdS纳米线的荧光光谱图以及荧光寿命;二、改变激发光的偏振方向,分别测试不同激发光功率下,裸露的和Ag膜覆盖的CdS纳米线的荧光强度,研究它们的非线性光学特性。