缺陷地结构（Defected Ground Structure，简称DGS结构）是在微带线的金属接地面上腐蚀一定形状的图案，腐蚀的图案影响了接地平面的电流分布，导致了包括有效电容和有效电感在内的传输线性能的改变。DGS结构由于具有禁带特性、高阻抗特性、慢波特性等优良电路性能而被广泛应用到了微波电路中，但是由于DGS结构的应用，造成了接地面不完整，产生较大的辐射电场，所以降低DGS结构产生的无意发射对周围电路性能的影响具有实际意义。本文围绕低辐射DGS结构开展如下工作：1、对DGS结构的电路性能进行详细分析。介绍了一种DGS结构的等效电路模型，运用电路分析的原理提取该等效电路的参数。介绍了电磁兼容的基本知识，分析如何降低DGS结构的近场辐射。仿真分析了在具有相同电路性能时，几种常见DGS结构的近场电场辐射性能。2、设计出两款具有低辐射的DGS结构，分别是锯齿形低辐射DGS结构和高阻抗低辐射DGS结构。详细分析了这两种低辐射DGS结构的电路性能和近场辐射性能。将这两种低辐射DGS结构与传统的DGS结构作了比较，仿真结果表明低辐射DGS结构在达到相同电路性能时，具有更低的近场电场强度。3、对这两款低辐射DGS结构做了串扰分析，并与传统的DGS结构和完整接地面时作比较，结果表明在达到相同电路性能时，低辐射DGS结构的近远端串扰小于传统DGS结构。4、将这两款低辐射DGS结构应用到微波电路中。利用锯齿形低辐射DGS结构的禁带特性设计出了一款低近场辐射的带阻滤波器，同时将该DGS结构应用于带通滤波器中，抑制了二次谐波分量。用带有高阻抗低辐射DGS结构的微带线代替高阻抗特性微带线，设计出1:4功分比Wilkinson功分器。