论文部分内容阅读
有机薄膜晶体管(OTFT)在有源驱动阵列、有机逻辑器件、射频标签及传感领域具有巨大的应用价值,提升其综合性能来推进实用化是目前研究的热点。本论文对有机异质结的形成机理和积累效应进行研究,利用苝酰亚胺异质结来提高有源层中自由载流子浓度,并通过优化绝缘层来改善有源层的结晶质量。此外,探索苝酰亚胺衍生物薄膜对水合肼的气敏传感。
首先,研究有机异质结电荷积累效应在OTFT中的作用。选用全氟酞菁铜和并五苯制备非连续累积型异质结,比较研究异质结在沟道处的掺杂作用和电极处的增强注入作用。基于有机-有机界面能级排列理论确定全氟酞菁铜的最低未占用分子轨道(ELUMO)钉扎于并五苯费米能级(EF)之上,从理论上证明有机pn异质结界面两侧载流子浓度的显著提升。基于沟道掺杂和增强电极注入的双重优化作用,并五苯OTFT性能得到极大改善。
其次,研究有机pn异质结的形成机理。分析确定界面势垒有益于形成积累型异质结的特性,结合界面势垒和p型、n型材料间EF差建立理论模型,并在OTFT中进一步研究。2nm PDI及其衍生物PDI-1/PDI-2作为非连续薄膜来修饰并五苯OTFT,随着修饰层ELUMO降低,异质结两侧材料的EF差进一步增大,在与界面势垒的共同作用下,两侧载流子累积效果进一步增强,自由载流子浓度明显提升,进而有效地优化晶体管性能,并可以控制OTFT从增强型转变成为耗尽型。
再次,分析异质结形成条件的影响。控制PDI-3的膜厚和沉积速率,建立沉积速率与晶粒尺寸、积累效果之间的关系,并确定最佳厚度。应用并五苯为非连续修饰层、PDI-3为有源层构成异质结OTFT,其性能相比原始PDI-3器件提升显著。
此外,应用复合绝缘层改善OTFT性能。基于聚乙烯醇和聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸缩水甘油酯组成的复合绝缘层制备了酞菁铜OTFT。利用两种有机高分子材料性能互补,提高复合绝缘层的综合性能:高介电常数(6.0)、疏水性、超平滑表面(1.47?),酞菁铜的结晶质量得到有效改善。与相同厚度单绝缘层器件相比,复合绝缘层器件性能得到显著改善。
最后,探索苝酰亚胺衍生物薄膜对水合肼的气敏传感。将苝酰亚胺衍生物沉积于光纤端面上,建立由肼蒸汽浓度与敏感薄膜折射率之间的关系,巧妙增大光纤端面面积提高薄膜质量,研制一种同时检测肼蒸汽浓度和温度的双参量传感器。该气敏传感器性能优异,且具有全光学系统、体积小、重复性好、可靠性高等优点。
首先,研究有机异质结电荷积累效应在OTFT中的作用。选用全氟酞菁铜和并五苯制备非连续累积型异质结,比较研究异质结在沟道处的掺杂作用和电极处的增强注入作用。基于有机-有机界面能级排列理论确定全氟酞菁铜的最低未占用分子轨道(ELUMO)钉扎于并五苯费米能级(EF)之上,从理论上证明有机pn异质结界面两侧载流子浓度的显著提升。基于沟道掺杂和增强电极注入的双重优化作用,并五苯OTFT性能得到极大改善。
其次,研究有机pn异质结的形成机理。分析确定界面势垒有益于形成积累型异质结的特性,结合界面势垒和p型、n型材料间EF差建立理论模型,并在OTFT中进一步研究。2nm PDI及其衍生物PDI-1/PDI-2作为非连续薄膜来修饰并五苯OTFT,随着修饰层ELUMO降低,异质结两侧材料的EF差进一步增大,在与界面势垒的共同作用下,两侧载流子累积效果进一步增强,自由载流子浓度明显提升,进而有效地优化晶体管性能,并可以控制OTFT从增强型转变成为耗尽型。
再次,分析异质结形成条件的影响。控制PDI-3的膜厚和沉积速率,建立沉积速率与晶粒尺寸、积累效果之间的关系,并确定最佳厚度。应用并五苯为非连续修饰层、PDI-3为有源层构成异质结OTFT,其性能相比原始PDI-3器件提升显著。
此外,应用复合绝缘层改善OTFT性能。基于聚乙烯醇和聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸缩水甘油酯组成的复合绝缘层制备了酞菁铜OTFT。利用两种有机高分子材料性能互补,提高复合绝缘层的综合性能:高介电常数(6.0)、疏水性、超平滑表面(1.47?),酞菁铜的结晶质量得到有效改善。与相同厚度单绝缘层器件相比,复合绝缘层器件性能得到显著改善。
最后,探索苝酰亚胺衍生物薄膜对水合肼的气敏传感。将苝酰亚胺衍生物沉积于光纤端面上,建立由肼蒸汽浓度与敏感薄膜折射率之间的关系,巧妙增大光纤端面面积提高薄膜质量,研制一种同时检测肼蒸汽浓度和温度的双参量传感器。该气敏传感器性能优异,且具有全光学系统、体积小、重复性好、可靠性高等优点。