功率集成电路可以将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口，由于其具有较大的输出功率，因此，对制作材料的要求非常苛刻。而BN材料由于其具有很宽的禁带宽度（Eg>6.3eV）、良好的导热性（~13W/cm·K，仅次于金刚石）以及优异的热稳定性和化学稳定性，完美地符合了功率集成电路需要。然而，人工制备BN单晶常常需要高温（>1000℃）高压（几个GPa）的苛刻条件，因此很难获得大尺寸、高质量的cBN单晶，不利于现代电子电路的集成与应用。因此人们希望能够制备高质量、大面积的BN薄膜，以有利于其在功率集成电路领域中的应用。除了可应用于功率集成电路，BN薄膜还是石墨烯器件的理想衬底材料，而且作为第三代半导体材料，BN薄膜在光学表面涂层、深紫外光电探测器及发光器件、以及耐高温大功率电子器件等方面也具有潜在应用价值。硅是应用最为广泛的集成电路基底材料，具有价格低廉、工艺成熟、利于集成等优点，因此本论文以Si材料为衬底，采用磁控溅射手段进行了BN薄膜的生长研究。取得的主要研究结果如下：1.采用射频磁控溅射工艺，在N型Si衬底上制备了BN薄膜，溅射功率为150W，本底真空度5×10-4Pa，工作气氛为Ar气，工作气压为1Pa。重点研究了溅射时间、衬底温度以及退火工艺对于BN薄膜性能的影响。分析了溅射时间分别为1h、2h、3h的BN薄膜样品的红外光谱，不仅观测到sp2杂化的hBN的TO模振动峰，还观测到sp3杂化的cBN和wBN的TO模振动峰，以及sp2和sp3混合杂化的eBN振动峰，此外，还观测到B-O键振动吸收峰，位于1280cm-1附近。XPS的结果也证明了B-N-O键的存在，由于O的作用，使得B和N的束缚能都向高能方向移动。说明制备的BN薄膜组分复杂，主要包含cBN、hBN以及BNxOy的化合物。研究了衬底温度分别为200℃、300℃和400℃时制备的BN薄膜的红外光谱，发现衬底温度的升高明显有利于hBN的沉积生长，但BNxOy化合物的含量依然不可忽略，说明衬底温度的升高也同样利于B-N-O键的形成。将BN薄膜样品在氮气氛围650℃下退火1.5h，发现高温热退火不仅可以减小BN薄膜的内应力，而且可以改善BN薄膜的结晶质量，特别是对BN厚膜，效果更显著。2.研究了BN/Si异质结的电学特性和BN薄膜的紫外光吸收特性。通过I-V特性的测试，证明BN/Si异质结具有良好的整流特性，BN薄膜为P型导电，Si衬底为N型导电，p-BN/n-Si异质结的最高整流比大于1000。制备的BN薄膜具有显著的紫外光吸收现象。通过分析紫外吸收光谱，计算得到衬底温度为300℃制备的BN薄膜的光学带隙达到5.23eV，且符合直接带隙材料的吸收规律，说明衬底温度为300℃的BN薄膜样品中的hBN含量比较高，hBN的含量决定了薄膜整体的光学带隙与紫外光吸收特性。3.研究了cBN单晶与薄膜材料的金属电极制备及金半接触特性研究。采用磁控溅射方法，分别在cBN单晶上制备了Cr、Ti金属薄膜电极。采用四探针法测量金属薄膜的电阻率均为10-3·cm量级。通过I-V特性测试发现，Cr、Ti电极与cBN之间为肖特基接触，接触电阻很大，I-V曲线呈现非线性特性。为了改善电极与cBN的接触质量，在Cr电极薄膜上又真空蒸镀了一层Au电极，并分别在450℃和900℃时对Cr/Au合金电极退火20分钟。退火后的I-V特性表明，电极与cBN间的接触质量得到改善，且900℃高温退火后的Cr/Au电极与cBN间表现出非整流特性。