经过多年的研究和发展,有机发光二极管(Organic light emitting diodes,OLEDs)因其可柔性、低功耗和色域广等优势被广泛地应用到光电器件上。传统的OLEDs器件结构中包括玻璃基底、透明阳极、有机层和高折射率金属阴极,以上材料的折射率不一致。由于不同材料的折射率的不同,只有20%的光线可以从OLEDs的发光层进入到空气。我们知道器件产生的光子以(1)波导形式被捕获在基底和氧化铟锡(ITO)/有机层的界面处,因为在空气和玻璃基底,玻璃基底和ITO之间都会发生全内反射(2)表面等离子体模式被捕获在在阴极/有机层界面处。在本论文中,通过光提取的方式提高OLEDs器件的发光效率。其中使用盐酸(HCI)刻蚀平面ITO阳极制造低雾度的纳米结构ITO阳极,同时使用在平面ITO随机分布的聚苯乙烯小球作为刻蚀模板。由此制备好的ITO应用到Ir(ppy)2(acac)绿色发光器件的电流效率和功率效率分别是83.3 cd/A和74.6 lm/W,分别比原来提高了 40.7%和37.1%。同时,我们选择低折射率的MgF2材料来减少SPP以显著提高光提取效率。另一方面,量子点(quantum-dots,QDs)具有窄发射带、波长可控,良好的光稳定性和低成本的旋涂方法等优势吸引众多科研者的关注,所以量子点材料被应用到发光二极管(light emitting diodes,LEDs)。自从第一个QLEDs被报道后,通过合成方法、器件结构和界面工程等方式器件效率被不断提高。在本文第二部分,电流效率9.54 cd/A的倒置红色QLEDs制备出来,器件采取mCBP作为电子阻挡层,mCBP材料放在空穴传输层CBP和量子点之间。相比于没有mCBP的QLEDs器件电流效率提高了19%。它具有平衡电荷和减少电子漏到电子传输层的作用,因为mCBP的最低非占据轨道的能级比CBP的最低非占据轨道浅。我们的结构表明电子阻挡层有着良好的应用前景,在高效QLEDs上有着广泛的应用。