金刚石薄膜从紫外到远红外都具有极高的光透过率和较低的折射率，极高的导热率和极低的热膨胀系数，非常适合用作光学器件窗口材料和保护涂层。在生长金刚石的各种沉积材料中，石英是一种透过率高、绝缘性高、化学稳定性好的衬底材料，并且在生长过程中无碳化物界面层形成，所以金刚石/石英结构的高透过率和低导电性不受影响。在石英上沉积金刚石膜作为保护涂层和高性能电极是金刚石膜的重要应用之一。因此石英衬底上硼掺杂金刚石膜(BDD)的制备及特性研究有重要意义。本文使用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)设备和微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备，在石英衬底上沉积BDD薄膜。并分别讨论了硼流量、甲烷浓度、气体压强等不同生长条件对样品生长和特性的影响，得到如下结果：利用HFCVD法在石英衬底上沉积硼掺杂金刚石膜，一定量的硼源(B(OCH3)3)所分解的含氧基团加速刻蚀非金刚石相，促进金刚石的生长。当反应气氛中的硼较多时，大量硼原子进入金刚石晶格内，影响金刚石的生长。高甲烷浓度可提高金刚石的成核密度。BDD膜的电阻随硼流量的增加而减小，在可见光区域内的光透过率可达到11%。优化了沉积较高质量的BDD膜生长条件。利用MPCVD法来制备BDD膜，分别研究有无硼掺杂和不同甲烷流量下样品的质量及特性。硼的掺入促进金刚石(220)晶面的生长，提高薄膜的结晶质量。随着甲烷浓度的升高，金刚石的晶粒尺寸逐渐减小，由微米级变为纳米级，MPCVD法制备的硼掺杂金刚石膜相比于HFCVD方法获得了较大的可见光区透过率，其值为26%。本论文通过优化石英上生长硼掺杂金刚石薄膜的实验参数，制备出导电性较好，透过率较高的BDD膜。其较高的透过率可用作理想的光学窗口材料，可循环性、稳定性及硼掺杂诱导半导体性可用作电极，为硼掺杂金刚石膜的应用提供了实验数据。