电子束光刻技术(EBL)是一项新型的微细加工与分析技术。它是将微纳系统特征尺寸推向微细化的关键技术。由于EBL具有分辨率高、易于控制、加工精度高且能在不需昂贵掩膜的光刻胶上加工微结构等优点。使其成为微细加工技术研究的热点。精确的模拟三维微结构的加工工艺过程能有效的缩短研发周期,节约实验成本。本文围绕电子束光刻技术直接在光刻胶介质上加工三维微结构等问题。利用Monte Carlo方法建立能量沉积模型,求解工艺参数。然后利用元胞自动机与开发的混合算法模拟实验所得的微.结构。最后运用曝光剂量校正的方法提高微结构的分辨率。其中主要研究内容如下：1、基于电子束光刻技术的原理,建立电子散射模型,模拟电子与固体的相互作用。2、利用Monte Carlo方法建立能量沉积模型,求解电子束光刻加工工艺参数。并探究各工艺参数对能量沉积的影响。3、给定三维微结构的实验设计方案,控制不同的曝光剂量加工三维微结构。4、针对电子散射无规律及微结构模拟的复杂性的问题,本文提出元胞自动机与Monte Carlo混合算法,并利用该算法与元胞自动机算法模拟由实验获得的三维微结构。利用曝光剂量校正的方法提高微结构的分辨率。