硅表面单层和多层膜的制备及表征

来源 :兰州大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Norazhongli
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该硕士学位论文主就要用化学镀方法在单晶硅表面构建单层和多层金属薄膜的方法和机理进行了研究,并用电化学方法、原子力显微镜(AFM)技术、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制备的膜材料进行了表征.论文还包括欠电位沉积单层在分析化学中的应用研究.主要内容包括:1.分别以沉积有银和钯晶籽层的p-Si(100)硅片为工作电极,用循环伏安法研究了不同厚度晶籽层金属元素的阳极氧化行为.发现由于晶籽层金属和硅(Me-Si)之间及金属和金属(Me-Me)之间作用力的不同,会导致晶籽层金属元素阳极氧化峰的分裂,即出现一个基于单层晶籽层金属元素氧化和一个基于多层晶籽层金属元素氧化的双峰.对钯晶籽层而言,其单层氧化峰还因为电子转移的分步机理,出现进一步裂分.2.在有银晶籽层的p-Si(100)表面成功地制备了金膜,用化学镀原理为指导,采用四氯合金络合物AuCl4-为主盐,以次亚磷酸钠为还原剂,乙二胺为稳定剂,通过合理控制温度、时间的办法,制备了膜厚可调的金膜.所提出的镀浴组成在实验室条件下非常稳定.通过X射线光电子能谱和原子力显微镜分别分析了银晶籽层和金膜的晶体构成和表面形貌,初步发现金膜与晶籽层的增长方式不同,金的增长不受银晶籽层结构的影响.3.成功地在硅表面用化学镀的方法制备NiWP薄膜,提出了用于制备该复合镀层的镀浴组成.并用原子力显微镜技术、电化学方法分析比较了硅表面化学镀NiP和NiWP两种薄膜的性能.4.研究了铅在多晶金电极表面的欠电位沉积(UPD)行为.循环伏安法(CV)发现,在毫摩尔浓度范围内,pb<2+>在金电极表面的UPD溶出峰电位随pb<2+>浓度的增加正向移动;而在纳摩尔浓度范围内,方波溶出伏安法发现,pb<2+>在金电极表面的UPD溶出峰电位随pb<2+>浓度的增加几乎不变,且溶出峰电流与浓度成正比.基于欠电位沉积的性能,提出了在金电极上用欠电位-方波阳极溶出伏安法(UPD-SWASV)测定茶叶中微量铅的方法.该方法有灵敏度高、选择性好等诸多特点.
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