【摘 要】
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沟槽绝缘栅双极晶体管TrenchIGBT (以下简称TIGBT)作为一种重要的新型功率MOS器件,在功率电子系统中的应用越来越广.由于TIGBT特殊的器件结构,传统的半导体集成电路器件模型
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沟槽绝缘栅双极晶体管TrenchIGBT (以下简称TIGBT)作为一种重要的新型功率MOS器件,在功率电子系统中的应用越来越广.由于TIGBT特殊的器件结构,传统的半导体集成电路器件模型不能用于TIGBT的电路模拟,因此一个精确的TIGBT模型对于TIGBT的电路设计具有十分重要的意义.F.Udrea的TIGBT静态解析模型采用了一些经验参数,且不能用于具有缓冲层的IGBT.张旻在A.R.Hefner的BIGBT静态解析模型基础上,提出一种新的TIGBT静态解析模型.该模型虽然更具有通用性,但比较复杂,计算速度慢,且收敛性不好,无法进行模型参数提取.该文对张旻的TIGBT静态解析模型进行了合理的简化,加快了模型的计算速度,提高了收敛性,并成功地将简化后的模型嵌入到模型参数提取软件MODPEX中,提参结果正确.
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