【摘 要】
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随着我国航天事业的快速发展,如何能够保证航天器在空间环境中安全可靠地运行成为一个重要的话题。由于空间环境中存在着大量的辐射源,这会对航天器中的电子器件造成各种辐射效应,从而导致器件性能的退化以至于失效。而在太空中极端温度条件往往伴随着辐射环境出现。在太空环境中工作的电子器件通常经受着极端低温条件以及辐射环境的考验,这严重影响着电子器件的可靠性,从而影响到航天器的正常运行。本文以28nm SOI工艺
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随着我国航天事业的快速发展,如何能够保证航天器在空间环境中安全可靠地运行成为一个重要的话题。由于空间环境中存在着大量的辐射源,这会对航天器中的电子器件造成各种辐射效应,从而导致器件性能的退化以至于失效。而在太空中极端温度条件往往伴随着辐射环境出现。在太空环境中工作的电子器件通常经受着极端低温条件以及辐射环境的考验,这严重影响着电子器件的可靠性,从而影响到航天器的正常运行。本文以28nm SOI工艺的MOSFET器件以及环形振荡器电路为研究对象,提出了试验与仿真相结合的方法,开展极低温环境下晶体管环形振荡器电路的辐射效应的研究工作。首先通过使用钴60γ射线辐射源,进行了28nm SOI MOSFET器件的总剂量效应试验,并通过仿真的方式,结合试验的数据,模拟了器件在常温环境下以及在极低温环境下的总剂量效应。总剂量试验数据以及TCAD软件仿真结果表明,总剂量效应会导致器件电学参数的退化,而极低温环境下器件的开关特性以及放大特性均会变好,因此极低温条件在一定程度上可以改善总剂量效应对器件的损伤。对28nm SOI工艺的环形振荡器电路进行了极低温环境下的测试以及钴60γ射线辐射源照射后的测试,发现极低温条件可以使环形振荡器的输出频率升高,而电路受到总剂量效应的影响导致输出频率的降低。通过使用模型参数提取软件对单管的极低温环境下总剂量仿真模拟数据进行BSIM3V3模型参数提取,得到了可用于电路仿真的HSPICE模型,并搭建了环形振荡器电路,仿真模拟了环形振荡器电路在极低温环境下的总剂量效应。发现当环形振荡器电路处于极低温以及辐射环境共同作用下时,极低温条件对于电路性能的影响起到主要作用,极低温条件会对由于总剂量效应对电路造成的性能退化起到改善作用。
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