【摘 要】
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与硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结晶体管(HBT)除了具有硅双极晶体管的优点外,它的特征频率更高；与场效应管(FET)相比,HBT具有更低的噪声特性。因此HBT广泛应用在低相位噪声
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与硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结晶体管(HBT)除了具有硅双极晶体管的优点外,它的特征频率更高；与场效应管(FET)相比,HBT具有更低的噪声特性。因此HBT广泛应用在低相位噪声压控振荡器的设计中。本文详细分析了振荡器的基本原理,包括振荡条件的分析、相位噪声的概念、振荡器的噪声模型、以及输出功率的预测等,并介绍了单片微波集成电路的基本设计方法,最后设计了一个应用于5.8GHz无线局域网的异质结双极晶体管压控振荡器单片电路。用软件仿真了VCO的直流特性、频率调谐特性、输出功率以及相位噪声等指标。最后采用InGaP/ GaAs HBT工艺实现了一块压控振荡器单片电路。测试结果：振荡频率范围fo=5.85-6.42GHz;输出功率Pout=5.5-9.5dBm;在偏离振荡中心频率为100kHz时,单边带相位噪声为-103dBc,在频偏为1MHz时,单边带相位噪声为-123dBc。测试结果与仿真结果非常接近。
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