5G时代的发展推动着人工智能、云计算等新兴科技的进步。与此同时,人们对大数据时代下的信息存储要求越来越高。随着便携式电子设备的快速发展,闪存在存储器市场上的占比日益增大,但是随着器件尺寸的进一步微缩,闪存技术面临着物理极限的问题,因此开发下一代非易失性存储技术迫在眉睫。阻变存储器具有结构简单、集成度高、功耗低等特点,成为下一代信息存储的有力竞争者之一,现已开发出二元氧化物、多元氧化物和一些有机材料等多种材料体系。近年来,钙钛矿材料因光吸收强度强、带隙可调、电子空穴扩散长度长等特点被广泛应用于光伏器件中。同时,该材料在电压电流响应中表现出阻变现象,开启了其在存储领域的研究与应用。本论文研究了不同类型的钙钛矿阻变存储器。首先,研究了油酸钝化CH₃NH₃Pb I₃薄膜对器件性能的影响。分别采用一步法和两步法制备了CH₃NH₃Pb I₃薄膜,通过对比发现一步法制备的CH₃NH₃Pb I₃薄膜表面颗粒更加均匀致密,且XRD曲线不含Pb I₂杂峰,因此采用一步法制备致密的CH₃NH₃Pb I₃薄膜,使用油酸钝化薄膜表面,减少与空气中的水氧接触,并在薄膜表面制备顶电极W。测试器件性能,发现油酸钝化处理后的器件的阻变性能更稳定。通过拟合I-V曲线发现油酸钝化改变了高阻态的传导机制,器件钝化前高阻态为由缺陷引起的SCLC传导,钝化后高阻态转变为势垒控制的肖特基发射机制。因此,油酸钝化可以减少薄膜缺陷,提高器件的稳定性。其次,研究了CsPbBr₃阻变存储器的性能。通过溶液合成法制备CsPbBr₃粉末并溶解于DMSO溶剂中,使用一步反溶剂法制备出纯相且致密的CsPbBr₃薄膜,并在薄膜上蒸发沉积一层Au电极制备阻变存储器。电学测试结果表明器件具有优异的电阻转变特性和较大的存储窗口,且发现在不同温度和不同放置时间下器件展现出良好的阻变性能。此外,在高温加热和空气中放置数月下薄膜的致密性、晶体结构和电流传导机制都未发生明显变化。因此,器件具有良好的热稳定性和环境稳定性。最后,研究了无铅型Bi基钙钛矿阻变存储器性能。分别通过两种方法制备MA₃Bi₂I₉薄膜,第一种方法是使用DMSO和DMF做溶剂,甲苯做反溶剂制备MA₃Bi₂I₉薄膜;第二种方法是使用甲胺醇溶液作溶剂,直接旋涂制备MA₃Bi₂I₉薄膜。通过对比两种制备方法获得的器件性能,发现第二种方法制备的器件具有更稳定的I-V特性、更大的存储窗口和更好的耐受性,且利用该方法在柔性衬底上制备结构为PEN/ITO/MA₃Bi₂I₉/Au的器件在不同弯曲程度下均表现出较好的阻变特性,表明该阻变存储器在可穿戴电子设备中具有应用价值。