【摘 要】
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水热法沉积PZT薄膜具有反应温度低,薄膜纯度高、厚度大,不需要后处理等一系列优点。本论文采用水热合成法制备了Ni/PZT磁电复合薄膜,研究了工艺条件对薄膜结构和性能的影响。结果表明,缓冲层成份对薄膜的生长具有重要影响,Ti/TiO_2中的TiO_2层与溶液中的晶种反应,在Ni基片表面形成晶核点,从而改善薄膜和衬底的结合性。水热生长的PZT薄膜具有良好的铁电性能和介电绝缘性能。水热温度对薄膜的结构、
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水热法沉积PZT薄膜具有反应温度低,薄膜纯度高、厚度大,不需要后处理等一系列优点。本论文采用水热合成法制备了Ni/PZT磁电复合薄膜,研究了工艺条件对薄膜结构和性能的影响。结果表明,缓冲层成份对薄膜的生长具有重要影响,Ti/TiO_2中的TiO_2层与溶液中的晶种反应,在Ni基片表面形成晶核点,从而改善薄膜和衬底的结合性。水热生长的PZT薄膜具有良好的铁电性能和介电绝缘性能。水热温度对薄膜的结构、铁电和磁电性能有着重要影响。随着水热反应温度的升高,薄膜的晶粒大小逐渐减小,剩余电极化强度减小,矫顽力增
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