随着集成电路的技术节点不断向前推进,传统的浮栅存储器和SONOS存在着固有的局限性,而以利用硅材料或金属纳米晶制造的闪存存储器很容易克服这些的局限性,所以引起了大家的广泛注意。另外金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,所以金属纳米晶闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。对纳米晶存储器来说,如何得到均匀的,密度,大小合适的纳米晶是关键。本文就是致力于一种Ti基纳米晶金属纳米晶制备的研究。重点阐述了如何利用简单的气相沉积(PVD,CVD)法获得均匀,高密度的金属纳米晶。另外,对于均匀性,尺寸要求严格的纳米晶,如何检测也是关键,本文除了利用传统的SEM和TEM方法检测到了Ti基纳米晶,还首次利用Quantox机台对Ti基纳米晶的电学隔离和存储特性进行检测,这为今后实际生产过程中,纳米晶的选择和在线测控提供了一种简单的方法。本文所制备的纳米晶和对纳米晶的检测方法有望进一步的应用在今后纳米晶存储器的生产中。