本文旨在应用激光干涉技术研究激光干涉光刻诱导化学沉积和激光干涉光刻直写制备微／纳米级金属栅极。首先,针对电池表面光栅结构进行优化仿真设计,发现栅极特征尺寸为500nm时,光栅电极总功率损耗最低。其次,基于激光干涉的基本原理,利用Matlab软件,针对1064nm和266nm波长激光进行计算机仿真,获得了条纹阵列结构,发现不同激光入射角度时,可以获得不同周期和栅极特征尺寸的栅极。最后,针对理论计算和模拟结果,运用激光干涉光刻诱导化学沉积技术和激光干涉光刻直写技术分别在Si(100)的基底上得到微纳米级的银阵列,在实验中运用波长为1064nm大功率激光器进行干涉曝光,并且使用不同激光光强和入射角进行实验,得到了银阵列条纹的特征尺寸分别为5μm、4μm和3μm。当选择激光波长为266nm时得到了特征尺寸为400nm银阵列条纹。