本课题来源于国家重大科技02专项“新型节能驱动与汽车电子芯片工艺研发与产业化”。本文设计了该子项目中一种基于600V BCD工艺平台开发的高/低端、双通道高压高速MOS功率器件栅极驱动与保护的集成智能功率驱动电路(SPIC)。该电路的设计指标为：最高偏置电压(VH)为600V,最大高低端输出峰值电流(/max)为1A,最高工作频率(/max)为100KHz。该栅驱动电路具有电压控制稳定性好、中高频应用广、自我保护能力强等优点,可以被广泛应用在汽车电子领域中,例如：电动及混合电力汽车的动力系统。第一,作者在总体电路系统中简要介绍了栅驱动电路的要求,接着介绍了栅驱动电路的总体电路结构、外围拓扑结构及设计指标。在子电路模块设计中,作者详细分析了接口输入电路、高低端死区信号产生电路、高端驱动信号电平位移电路、低端驱动信号延迟电路、驱动信号输出电路及保护电路等各子电路模块的基本原理,并利用仿真软件Hspice验证了各子电路功能。第二,基于子电路模块的基本原理及仿真结果,作者由此分析了栅驱动电路的工作原理,利用仿真软件Hspice对总体电路进行联合仿真,并且验证该栅驱动电路性能。最后,在华润上华(CSMC)0.5μm600V BCD工艺下,作者及小组其他成员共同完成了该栅驱动电路的版图设计、版图验证(DRC&LVS)、整体版图拼接以及最终流片。