本文用一步退火和两步退火方法在玻璃基体中生长了一系列不同尺寸的CdS_0.1Se_0.9半导体纳米晶体。对制备的纳晶样品作了室温吸收光谱和电调制吸收光谱的测量，以此研究了纳晶的电子结构及光学性质。 研究表明，两步退火法增加了纳晶数目，纳晶的尺寸分布也比一步法制备的纳晶略有提高。纳晶的尺寸可通过退火时间来控制。 纳晶吸收谱及二次微分谱的测量结果表明，纳晶在室温出现了三个激子吸收峰，第一激子吸收峰随纳晶半径减小而增强，同时清楚地观察到纳晶受限导致的光谱蓝移。用有效质量近似模型（EMA）计算了半导体纳米晶体的吸收边相对体材料的移动，并将理论结果和实验结果进行了比较，两者相符较好。 对纳晶电调制吸收光谱的测试，纳晶表现出很好的共振和非共振三阶光学非线性性能及量子尺寸效应。