CVD法制备MoS2薄膜及其在太阳电池的应用

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【摘要】

：

近年来随着二维材料研究的兴起,二维层状结构的过渡族金属硫化物半导体材料引起了人们的关注。二维Mo S_2具有优异的电学、光学及半导体特性,加上可调控的带隙,使二硫化钼在半导体光电子器件上具有很大的应用前景。CVD方法制备方法简单,可以批量化实现大面积连续合成,在生长过程中易于对薄膜进行掺杂形成异质结从而制备基于异质结的光电器件,也适用于其他TMDCs材料的生长,具有很大的工业化应用前景。其优点在于

【作者】

：

文杨阳

【机构】

：

华中科技大学

【发表日期】

：

2016年05期

【关键词】

：

化学气相沉积太阳电池二硫化钼异质结

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