本文研究了大直径直拉硅单晶中的原生微缺陷—流动图形缺陷（flow pattern defects，FPDs）。分析了FPDs的微观形貌，及其在Secco腐蚀液中的演变过程；对轻掺B、重掺Sb硅片在Ar，H₂，N₂，N₂／O₂（3％）不同气氛下进行高温快速退火（RTA），研究了FPDs的高温退火行为及减少FPDs的快速退火工艺。 实验结果表明：FPDs外部轮廓为抛物线型，内部存在台阶结构。利用原子力显微镜观察发现位于FPDs端部的空洞结构有单型和双型两种类型，并首次发现空洞两侧有对称凸起结构。提出了一个抛物线模型，首次对FPDs在Secco腐蚀液中的演变过程进行了合理的解释。 硅片经1100℃以上高温RTA处理后，FPDs明显减少，其密度随着退火时间的延长而不断降低。高温RTA处理过程中FPDs端部空洞微结构发生变化，本文对其湮灭机理进行了详细探讨。氢气高温RTA处理，是减少FPDs的最有效退火工艺，氨气次之。 首次对大直径重掺Sb硅片中的FPDs进行了研究。重掺Sb硅片中FPDs密度比轻掺B的高出一个数量级；在经过相同工艺处理后，重掺Sb硅片中FPDs密度明显降低，且降低幅度大于轻掺B硅片。硅中大量Sb原子的掺入，影响了氧的行为，进而影响了原生微缺陷的分布及退火行为，具体的影响机制有待于进一步研究。