论文部分内容阅读
印制电路板是电子信息产业发展的重要支撑基础产品之一,HDI(High Density Interconnection)板、IC封装基板、刚挠结合板、埋置元件板,光电结合板,特种基材印制板等代表着当前印制电路板(PCB)的发展方向。电子产品的发展趋势要求印制电路板向微型化,轻量化,高速化,高频化及多功能化方向发展。为了满足这种发展趋势,大量埋盲孔结构开始应用于HDI刚挠结合板中。采用盲埋孔结构可以缩短导线尺寸,减小信号传输时间的延迟,改善PCB特性阻抗的控制,使得PCB设计自由度大大提高。本文利用珠海元盛电子科技有限公司现有的资源,针对HDI刚挠结合板中埋盲孔的结构和孔金属化原理,对微埋盲孔的制作工艺进行了详细的研究。主要内容包括:1.研究了HDI刚挠结合板埋盲孔激光钻孔工艺,重点对采用UV(ultraviolet)激光钻孔进行微盲孔钻孔实验,采用正交试验方案结合UV激光钻孔原理,考察了UV激光机盲孔钻孔过程中的主要因素的影响作用,包括脉冲宽度、脉冲频率、速度、聚焦高度等,找到了激光能量与主要参数之间的能量方程: YCu =136-2.21X1+6.25X2+0.656X3-0.0106X4-0.106X22-0.00303X32 YFR-4 =1058-5.52X1-13.2X2-4.52X3-0.0143X4+0.17X22+0.0144X32其中YCu和YFR-4分别代表铜箔钻穿深度和半固化片钻穿深度,X1,X2,X3,X4分别代表脉冲宽度、脉冲频率、速度、聚焦高度,通过方程检验了盲孔钻孔的工艺过程,实现了孔径100μm的微埋盲孔制作,并对CO2激光钻孔进行了初步研究,阐述了UV激光和CO2激光应用的异同点。2.探讨了HDI微埋盲孔孔清洗工艺,主要分析了等离子体清洗在埋盲孔中的应用,实验总结出采用UV激光钻孔后可以不进行等离子体清洗工艺直接进入镀铜工艺。针对黑孔工艺过程中的孔破问题进行了详细的讨论并提出了解决方案。成功的验证了在实验室开展沉铜实验的可行性,并详细研究了加入新型添加剂SPS对沉铜速度的影响,对其促使沉铜速率加速机理进行了合理的解释。3.详细研究了微盲孔填铜工艺的影响因素,探讨了电流密度,添加剂浓度,电镀时间等因素对不同孔径,不同厚径比的微盲孔填铜试验的影响,在此基础上对该模式的填铜机理做了合理推测,并介绍了国外最新研究出来的填铜机理-“bottom-up”机理。4.探讨了在制作含微埋盲孔的HDI刚挠结合板时,整个工序流程的前后配合及相互影响,通过选择合适的材料及制作工艺,成功制作出六层超薄含二阶微埋盲孔的HDI刚挠结合板样品,并试验了含一阶埋盲孔填铜板整板的工艺制作。