【摘 要】
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随着我国大规模的铁路提速改造工程的实施,以及大力发展高速客运专线的需要,无砟轨道开始大量应用。但是普通的板式轨道也产生了一些难以克服的问题,比如刚度太大,易开裂,不易维修养护等,其中之一就是严重的噪声危害。在各种铁路噪声中,轮轨滚动噪声随着列车速度的提高成为主要的噪声源。目前控制轮轨滚动噪声的措施主要是通过改善和优化轨上结构来实现的,而很少考虑轨下基础对噪声的影响。沥青混凝土作为一种良好的材料在高
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随着我国大规模的铁路提速改造工程的实施,以及大力发展高速客运专线的需要,无砟轨道开始大量应用。但是普通的板式轨道也产生了一些难以克服的问题,比如刚度太大,易开裂,不易维修养护等,其中之一就是严重的噪声危害。在各种铁路噪声中,轮轨滚动噪声随着列车速度的提高成为主要的噪声源。目前控制轮轨滚动噪声的措施主要是通过改善和优化轨上结构来实现的,而很少考虑轨下基础对噪声的影响。沥青混凝土作为一种良好的材料在高速公路上得到了大量的应用,其弹性好、防水、易于维修等优点都是水泥混凝土不具备的。本论文依托课题——成灌城
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Beta分子筛是唯一具有三维十二元环直通道体系的沸石,其独特的孔道结构以及优越的热稳定性使得Beta分子筛具备优异的催化性能,可以用于许多石石油化工过程,但在实际应用中微米级Beta沸石会制约芳香烃等大分子在其中的传递扩散,从而降低了其催化性能。具有纳米结构和微介孔复合结构的多级孔道分子筛的发现,为解决微孔中物质传递扩散受限提供了新的方向和可能性,研究纳米结构和多级孔道Beta分子筛很有研究价值和
ZnO是一种新型的宽带隙半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,理论上可以实现室温下受激发射,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。同时ZnO具有良好的透明导电性、压电性、气敏性和压敏性,因此具有广泛应用前景,如声表面波器件、透明电极、紫外光探测器、压电器件、压敏器件和气敏传感器等。自从1997年Tang等人报导了ZnO薄膜的近紫外受激发射现象以来,Z
本文利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射系统,以h-BN,Ti,Si为靶材,氮气和氩气为工作气体,分别沉积制备了BN薄膜,Ti-B-N三元组分扩展薄膜和SiNx薄膜。利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR),X射线光电子能谱(XPS),纳米硬度仪及台阶仪等表征方法研究了不同沉积参数下制备的不同薄膜的键合结构,元素配比,硬度和膜厚的变化,并且利用两端子法研究了Ti-B-N薄膜的电
ZnO具有纤锌矿晶体结构,是一种新型的直接带隙宽带半导体,其禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 meV,可以实现室温下的激子发射。ZnO薄膜可在低于600℃的温度下获得,较GaN, SiC和其它Ⅱ—Ⅳ族半导体宽禁带材料的制备温度低很多,这些特点使ZnO具备了作为室温短波长光电子材料的必备特征。因此,ZnO薄膜是一种具有希望的短波光电材料,研究ZnO薄膜的发光特性具有十分重要的意义。ZnO作为
ZnO是一种在蓝光及紫外光电器件领域极有应用前途的直接带隙宽禁带半导体材料。其室温下激子束缚能为60 meV,禁带宽度为3.37 eV,单晶中的电子霍尔迁移率高达200cm2V-1·s-1。ZnO的优良特性使其成为一种制备室温或更高温度下短波长、低阈值、高效率半导体光电器件的理想材料。目前制约着ZnO在LED、LD领域发展的一个关键因素就是稳定、高质量、可重复的p型ZnO的制备还存在着问题。本论文
炭膜是一种具有分子筛分功能的新型炭基膜材料。与聚合物膜相比,它具有优异的气体渗透性和分离选择性,良好的热、化学稳定性,耐高温、高压并可通过物理或化学的方法对其表面和孔结构进行修饰和改性以满足不同需要。因此,在气体分离、净化及膜反应器等方面,炭膜具有巨大的应用潜力。然而,炭膜本身属均质薄膜,质地较脆、易碎,限制了其产业化应用。把炭薄膜复合在多孔支撑体上制备成复合炭膜,可有效地改善炭膜机械性能,但要制
膜法富氧技术以其规模灵活、设备简单、安全经济的优点广泛应用于助燃、医疗保健等方面。富氧空气可以促进燃料充分燃烧,从而较大地降低工业生产的能耗,并减少废气的排放,符合我国节能减排的战略思想。为保证富氧助燃需要的氧气浓度达到25.0%～35.0%,富氧膜的氧氮选择性必须达到2.0左右,并具有较高的氧气透量。最常用的富氧膜材料是硅橡胶,它的本征分离系数为2.2左右,并具有远高于其它玻璃态聚合物的氧气透量
吸收热泵是一种能够将低品位热源的热量从低温位传送到高温位的有效节能装置,在工业废热回收方面起到提高能源利用率、降低温室气体排放量作用,具有节能降耗和清洁生产的双重特性。吸收式热泵的性能很大程度上取决于所用的工质对理化性质。现有的吸收式热泵工质存在着腐蚀性、结晶、工作压力高和毒性等问题。因此,对热泵新工质的研究成为人们关注的热点。离子液体是一种在室温或室温附近温度下呈液态的由离子构成的物质,它具有很
采用低温等离子体技术对高分子膜材料进行改性,是开发新型膜分离材料的重要途径之一。介质阻挡放电(DBD)等离子体技术是一种能够在常压下产生低温等离子体的新兴等离子体技术,具有很好的工业应用前景。本文采用常压DBD接枝填充聚合方法,探索了聚丙烯腈(PAN)超滤膜的表面亲水改性以及制备具有"pore-filling"结构的渗透汽化复合膜的可行性,较为系统地研究了制备参数对膜材料分离性能的影响,并初步探讨
研究发现非晶态FeSi2有着与β-FeSi2相似的半导体性能,室温下有0.89～0.90eV的直接带隙。这一发现大大提高了该材料的实际应用价值,具有半导体特性的非晶态FeSi2将有更好的发展前景。本文正是出于非晶态半导体FeSi2良好发展前景的考虑,在分析β-FeSi2结构的基础上进行三元合金化的研究,并对三元合金的相组成以及非晶的形成进行了探讨。采用了真空吸铸、真空甩带的方法分别制备了Fe3Si