ZnO属于II-VI族化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，本征ZnO在室温下的禁带宽度为3.37ev。ZnO因具有原材料丰富、成本低廉、光电性能优异、无毒等特点而广泛应用于紫外探测器、表面声波器件及薄膜太阳能电池的窗口层中。与最常见的AZO相比，ⅢB族的稀土元素Sc3+（0.0745nm）具有与Zn2+（0.0740nm）更接近的离子半径，掺入ZnO晶格中替代Zn2+时引入的晶格畸变将会很小，从而可以减少缺陷，提高薄膜的结晶质量，因而受到了广泛关注。同时，SZO也具有AZO所没有的良好的抗腐蚀性能。绒面ZnO薄膜具有较好的陷光作用和散射能力，不仅可以提高光透过率，还可以增强光散射能力，增加入射光在薄膜太阳能电池中的光程，提高光利用率，最终提高薄膜太阳能电池的短路电流和效率。本论文利用射频磁控溅射的手段，通过改变薄膜沉积温度、溅射压强及溅射功率，成功制备出了具有绒面结构的SZO薄膜，并运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔测量仪等对薄膜的晶体结构、表面形貌及光电性能进行了表征，系统研究和分析了不同制备条件对于SZO薄膜绒面结构特性的影响。首先，为了研究沉积温度对SZO薄膜绒面结构的影响，分别在室温、250℃、350℃、450℃的条件下制备出了不同结构的SZO薄膜，并对其相关特性进行了表征与测试，结果表明，当沉积温为250℃时，SZO薄膜具有平行于衬底的（100）择优取向，薄膜表面呈现“类金字塔”型结构，形成了良好的绒面，陷光效果较好，光散射能力较强，具有最高的光全透过率及散射透过率，Haze系数最大。随着沉积温度的不断上升，SZO薄膜的生长方向逐渐由平行于衬底的（100）方向过渡到垂直于衬底的（002）方向，薄膜表面逐渐平坦化，由粗糙不平的绒面结构转变为光滑的镜面结构，陷光效果减弱甚至消失，光散射能力下降，薄膜的光全透过率及散射透过率均较低，Haze系数变小。SZO薄膜的载流子浓度随着沉积温度的升高不断上升，霍尔迁移率不断下降，由于载流子浓度的变化占据主导地位，因而SZO薄膜电阻率随着沉积温度的升高而不断降低。其次，为了研究溅射压强对SZO薄膜绒面结构的影响，分别在0.5pa、1.0pa、1.5pa及2.0pa的条件下制备出了具有不同结构的SZO薄膜，并对其相关的性能进行了测试与表征，结果表明，当溅射压强较低时，SZO薄膜具有垂直于于衬底的（002）择优生长取向，表面较为平整，形成了光滑的镜面结构，薄膜全透过率及散射透过率均较低。同时，薄膜载流子浓度较高、霍尔迁移率较低，电学性质较好。随着溅射压强的不断升高，SZO薄膜择优取向逐渐由垂直于衬底的（002）方向向平行于衬底的（100）方向转变，在1.5pa时（100）择优取向占主导地位，薄膜表面呈现“类金字塔”型绒面结构，陷光效果增强，光散射能力提高，薄膜具有最高的可见光全透过率和散射透过率，分别为87.21%和5.49%，Haze系数较大。随着溅射压强的进一步升高，SZO薄膜结晶质量较差，晶粒呈现不规则的生长，薄膜电学性质及光学性质均有所退化，Haze系数较小。最后，为了研究溅射功率对SZO薄膜绒面结构的影响，分别在60w、90w、120w及150w的条件下制备出了具有不同结构的SZO薄膜，并对其相关特性进行了表征与测试，结果表明，当溅射功率为90w时，SZO薄膜具有平行于衬底的（100）择优生长取向，晶粒尺寸较大，薄膜表面呈现出高低起伏的“类金字塔”型绒面结构，陷光效果及光散射能力较强，具有最高的光全透过率及散射透过率，分别为85.50%及7.93%，Haze系数也较高。随着溅射功率的进一步升高，SZO薄膜逐渐由平行于衬底的（100）择优取向向垂直于衬底的（002）择优取向转变，晶粒结合致密，晶粒尺寸发生细化，薄膜表面逐渐平坦化，形成了镜面结构，陷光效果及光散射能力逐渐减弱，全透过率及散射透过率下降，Haze系数减小，同时，SZO薄膜的载流子浓度随溅射功率的增加而逐渐变大，霍尔迁移率及电阻率则逐渐下降。