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本文使用石英晶体微天平系统(Quartz Crystal Microbalance with Dissipation，QCM-D)对质粒DNA在固相介质表面的吸附行为进行了研究。主要考察了不同阴离子（硫酸根、磷酸根、硅酸根）对质粒DNA在不同固相介质表面（二氧化硅晶片表面、氧化铝晶片表面）吸附行为的影响。本研究采用的质粒DNA是能产生绿色荧光蛋白并具有氨苄青霉素抗性的质粒pGFPuv，提取自大肠杆菌Escherichiacoli.DH5α。 本研究首先考察了溶液中存在硫酸根和磷酸根离子情况下，质粒DNA在二氧化硅晶片和氧化铝晶片表面的吸附行为。为了更好地探讨硫酸根和磷酸根离子的影响，本研究同时测定了质粒DNA在不同实验溶液条件下的zeta电位和扩散系数，作为对QCM-D实验数据的补充。实验结果表明，在无能垒存在的情况下，质粒DNA分子在覆载有多聚赖氨酸(poly-L-lysine，PLL)的二氧化硅晶片表面的吸附行为主要受对流-扩散作用的影响。在pH值为6.0，总离子强度为300 mM的NaCl-Na2SO4和NaCl-NaH2PO4-Na2HPO4混合溶液中，硫酸根离子或磷酸根离子的存在都会减少质粒DNA在二氧化硅晶片表面和氧化铝晶片表面的吸附。而且，随着溶液中硫酸根和磷酸根离子浓度(Na2SO4和NaH2PO4-Na2HPO4的离子强度:0mM，50 mM，150 mM和300 mM)从0mM增加到300 mM，质粒DNA在裸露的二氧化硅晶片表面的吸附效率逐渐降低。同样地，溶液中硫酸根和磷酸根离子浓度的逐渐增加也会更加明显地抑制质粒DNA在氧化铝晶片表面的吸附。这主要是由于硫酸根或磷酸根离子可以吸附在质粒DNA或固相介质的表面，导致其表面的电位性质发生改变，并且影响了质粒DNA的扩散系数。因此，当溶液中存在硫酸根或磷酸根离子时，质粒DNA在二氧化硅晶片和氧化铝晶片表面的吸附动力学主要受控于Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek(DLVO)作用力。 本研究还对溶液中存在硅酸根离子情况下质粒DNA在固相介质表面（二氧化硅和氧化铝晶片表面）的吸附行为进行了探讨。实验结果表明，在pH值为7.0，总离子强度为50 mM的NaCl-Na2SiO3溶液中，随着硅酸根的浓度(Na2SiO3的离子强度:0mM，1mM，5mM和10 mM)从0mM增加到10mM，质粒DNA的zeta电位呈现负增长，扩散系数逐渐降低，这与硅酸根离子吸附在质粒DNA分子表面有关。与硫酸根和磷酸根离子相似，溶液中存在硅酸根离子会减少质粒DNA在二氧化硅晶片表面和氧化铝晶片表面的吸附。而且，随着溶液中硅酸根离子浓度的增加，质粒DNA在裸露的二氧化硅晶片表面和氧化铝晶片表面的吸附效率逐渐降低，说明当溶液中存在硅酸根时，质粒DNA在二氧化硅晶片和氧化铝晶片表面的吸附动力学主要受DLVO作用力的影响。与相同溶液离子强度下的硫酸根和磷酸根相比，硅酸根离子对质粒DNA在固相介质表面吸附的抑制作用更加明显，这主要是因为硅酸根离子可以与固相介质表面形成更牢固的内层配合物，从而更显著地改变其表面性质。