La_0.5Sr_0.5CoO₃（LSCO）是一种赝立方钙钛矿结构的导电金属氧化物,它不仅具有较低的电阻率（90μΩ·cm）,同时与目前广泛研究的铁电薄膜（PZT、BST等）具有类似的晶体结构和良好的晶格匹配性,是理想的铁电薄膜器件电极材料之一。因此,LSCO薄膜电极的制备和相应的铁电薄膜集成化研究具有重要的应用价值。就此开展的LSCO薄膜生长工艺研究取得了以下结果:1.研究了LSCO粉末的溶胶凝胶自燃烧工艺,并制备了LSCO靶材。通过大量实验,确定了最佳烧结工艺:烧结温度为1350℃、保温3小时,硝酸钴过量系数为1.05,压制压力为8MP。XRD分析表明靶材无杂相,SEM分析发现靶材结构致密无裂纹。2.采用脉冲激光沉积法（PLD）在（001）STO和（111）Pt/Ti/SiO₂/Si基片上制备了LSCO薄膜。系统研究了沉积温度、氧气压、激光能量等对薄膜表面形貌和结晶情况的影响,优化了LSCO薄膜的生长工艺参数,发现:在（001）STO基片上,实现了LSCO薄膜的高度c轴取向的外延生长,均方根表面粗糙度RMS为3nm左右,室温电阻率约为193.4μΩ·cm;而在Pt/Ti/SiO₂/Si基片上,LSCO薄膜呈（110）取向,RMS为4nm左右,LSCO/Pt/Ti/SiO₂/Si结构的室温电阻率约为62μΩ·cm。对两者进行比较,发现:在（001）STO基片上易于实现LSCO薄膜的外延生长,而LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si结构具有更低的电阻率,表面均比较平整。3.制备了Ni-Cr/BST/LSCO平板结构电容器,测试了BST/LSCO集成薄膜的介电性能,计算得STO基片上该电容器的介电常数约为470,介电损耗为0.036-0.060。