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半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。尤其当半导体材料的尺度达到纳米数量级时，此时的纳米级半导体材料受到量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、量子隧道效应等效应的影响会出现，会出现许多特殊的物理特性，比如光学性能、光电转换性能、光催化性能、气敏特性等等，在光电子设备、电池、太阳能存储等方面得到广泛的应用。SnO2作为一种重要的宽带半导体材料，已被广泛应用于光电子和微电子领域中。本文分别以Sn粉为原料和SnO粉为原料，通过碳热蒸发方式，运用CVD方法，在不同的退火温度下选取不同的退火时间，成功制备出不同的SnO2纳米结构，并通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）等测试手段对所制备的SnO2纳米机构进行了表征，同时对其发光特性进行了探究，进而讨论了SnO2纳米机构的生长机制，对SnO2纳米结构的形貌与退火温度及时间的关系进行了探究，发现退火温度和退火时间对SnO2纳米结构的形貌有着重要影响，因此可以通过选择特定的退火温度和退火时间实现对SnO2纳米结构的可控生长，得到性能良好的纳米结构。具体实验内容如下所示：（1）将Sn粉与碳粉混合，以Au为催化剂，在恒温900℃，分别退火30min，60min，90min，120min，制备出不同的二氧化锡纳米结构，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）对SnO2纳米结构的表面形貌、微观结构进行表征和分析，探究不同退火时间对SnO2纳米结构的影响。（2）将Sn粉与碳粉混合，以Au为催化剂，在恒温1000℃，分别退火30min、60min、90min、120min，制备出不同的二氧化锡纳米结构，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）对SnO2纳米结构进行表征，并通过光致发光谱（PL）对其发光特性进行了探究，发现397nm的发光峰是由结构缺陷或者发光中心如纳米晶粒、缺陷造成的，585nm的发光峰是氧空位缺陷引起的，在以上基础上对SnO2纳米结构的生长机制进行分析，发现其遵从VLS生长机制。（3）将SnO粉与碳粉混合，以Au为催化剂，在恒温900℃下，分别退火30min、60min、90min、120min，制备出不同的二氧化锡纳米结构，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）对SnO2纳米结构进行表征。（4）将SnO粉与碳粉混合，以Au为催化剂，在恒温1000℃下，选取不同的退火时间，制备出不同的二氧化锡纳米结构，用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）对SnO2纳米结构进行了表征，并通过光致发光谱（PL）对其发光特性进行探究，进而在以上基础上对对SnO2纳米结构的生长机制进行分析，发现其遵从VLS生长机制。（5）在对四组实验的实验数据合理分析的基础上，对二氧化锡纳米结构有退火温度和退火时间的关系进行了讨论。