随着电子技术的快速发展,人们对电子设备的要求越来越高,尤其是要求多层陶瓷电容器（MLCC）在高低温下还能保持良好的介电性能。钛酸钡（BaTiO₃）因其高的介电常数以及环境友好特性,受到了众多学者的关注。但是纯BaTiO₃陶瓷材料存在三个相变点,介电常数在相变点附近波动较大导致其不能满足温度稳定性要求,极大地限制了它的应用。因此,为了获得满足X7R,X8R或X9R-MLCC的介电陶瓷材料,我们通过掺杂铋基复合钙钛矿化合物对BaTiO₃进行改性。本论文利用掺杂改性的思想,通过传统两步固相反应法制备了（1-x）BaTiO₃-xBi(Li_0.5Nb_0.5)O₃（BT-BLN）、（1-x）BaTiO₃-xBi(Ni_0.5Sn_0.5)O₃（BT-BNS）、（1-x）BaTiO₃-xBi(Mg_0.5Sn_0.5)O₃（BT-BMS）、(Ba_1-xBi_0.33xSr_0.67x)(Ti_1-xBi_0.67xV_0.33x)O₃（BBSTBV）、(Ba_1-xBi_0.5xSr_0.5x)(Ti_1-xBi_0.5xTi_0.5x)O₃（BBSTBT）、(Ba_1-xBi_0.5xSr_0.5x)(Ti_1-xBi_0.5xSn_0.5x)O₃（BBSTBS）、(Ba_1-xBi_0.5xSr_0.5x)(Ti_1-xBi_0.5xZr_0.5x)O₃（BBSTBZ）系列陶瓷材料,系统研究了材料的物相结构、微观结构和电学性能。（1）随着掺杂剂含量的不断增加,BT-BLN、BT-BNS、BT-BMS、BBSTBV、BBSTBT和BBSTBZ陶瓷体系的物相结构均由四方相转变为伪立方相。（2）（1-x）BT-xBLN（0.02≤x≤0.1）陶瓷体系样品具有良好的致密性。当x=0.1时,在-60°C¹60°C温度范围内,陶瓷样品具有较高的介电常数（¹750）,良好的温度稳定性Δε/ε_25°C≤±15%和小的介电损耗（tanδ≤0.02）。（3）（1-x）BT-xBNS（0.02≤x≤0.1）和（1-x）BT-xBMS（0.02≤x≤0.12）陶瓷样品同样均具有良好的致密性;0.9BT-0.1BNS陶瓷样品在-60°C¹40°C的温区内的ε_r高达¹838,Δε/ε_25°C≤±15%,且tanδ≤0.02;0.9BT-0.1BMS陶瓷样品在-56°C²48°C的温区内具有高的ε_r²918和良好的Δε/ε_25°C≤±15%。（4）随着x值的增加,BBSTBV和BBSTBT（0.02≤x≤0.2）样品的晶粒尺寸逐渐减小;BBSTBV陶瓷体系并不满足X7R或X8R的要求,而当x=0.2时,BBSTBT陶瓷样品在-58°C¹51°C的温区内的ε_r高达²293且Δε/ε_25°C≤±15%。（5）BBSTBS和BBSTBZ（0.02≤x≤0.1）陶瓷样品均表现为致密性良好的微观结构。当x=0.06时,在-61°C²10°C的温区内,BBSTBS陶瓷样品的ε_r高达¹3643,Δε/ε_25°C≤±15%且tanδ≤0.025;当x=0.1时,在-70°C¹55°C的温区内,BBSTBZ陶瓷的Δε/ε_25°C≤±15%,其ε_r高达²116。以上结果表明BT-BLN、BT-BNS、BT-BMS、BBSTBT、BBSTBS和BBSTBZ陶瓷体系均可能成为新型X7R,X8R或X9R型MLCC的备选材料。