IGBT作为八十年代末,九十年代初迅速发展起来的新型复合器件,它将MOSFET和GTR的优点集于一身。既有输入阻抗高,速度快,热稳定性好,电压驱动(MOSFET的优点,克服GTR的缺点),又具有低的通态饱和压降,载流密度大,可·以向高电压,大电流方向发展(GTR的优点,克服MOSFET的缺点)等综合优点,已经在电力电子器件中起着至关重要的角色。本文第一章主要介绍了电力电子器件的发展,引出IGBT的内部结构及其工作原理,并且通过对IGBT的内部结构及其功能的介绍,主要阐述了从最初的平面栅穿通(PT)型IGBT到平面栅非穿通(NPT)型IGBT,再到沟槽栅+电场终止层型IGBT的技术发展,并且从结构,性能,工艺等方面对比了三类不同的IGBT。第二章详细的介绍了IGBT的基本特性,主要包括静态特性,动态特性和高温特性三方面。在静态特性中,对IGBT的输出特性,转移特性做了较为详细的分析；在动态特性中,通过IGBT开关特性测试仪对IGBT瞬态工作进行了详细的分析；在高温特性中,通过中小功率测试仪对IGBT在不同温度下瞬态特性的变化,总结出IGBT工作温度对于IGBT自身性能的影响。第三章主要对IGBT驱动电路设计中,就驱动电压和驱动电阻两方面,对IGBT工作性能的影响做了详细的理论分析和实验测试并加以论证。第四章作为本论文的主要部分,第一,通过以上章节对IGBT的分析,提出了一种IGBT的瞬态模型,给出了IGBT在开关过程中损耗的产生和理论计算的方法；第二,运用实验室的新型测试IGBT开关特性的设备,对IGBT开关损耗进行了定性的分析,并且给出了实验测试计算方法：第三,通过BR3500半导体分立器件测试系统对IGBT静态参数进行了较为准确的测定,并给出相应结论；最后,综合了以上的方法和结论,归纳总结出在实际工况下,IGBT的选型步骤。第五章通过分析12kW逆变电路的工作原理,掌握了IGBT关断尖峰电压的产生原因,以及所造成的危害,给出了一种改进的吸收电路,并且通过实验仿真,对实际工况进行模拟,以及实际电路的实验,达到了预期的效果。本课题是受助于“十一五国家支撑计划课题—新型电力电子器件和电力电子集成技术”两个3级子课题,并且与江苏宏微科技有限公司和西安交通大学合作