紫外光电阴极是紫外真空探测器件的核心部件,决定了器件的整体性能。以GaN和AlGaN等材料为代表的III族氮化物宽带隙光电发射材料具有优良的特性和诱人的应用前景。本文研究紫外光电发射材料的表面光电压谱测试技术。本文首先阐述了表面光电压的产生原理,表面光电压谱的测量方法。介绍了GaAs表面光电压谱测试系统的构成,提出了针对紫外光电发射材料光电压谱测试的改进方案,并分别对光源、光电压池、光纤及测试软件进行了详细的改进说明。接着基于硅材料的表面光电压理论,利用紫外光电光谱测试系统,在不同入射波长、不同入射光强下获得了硅材料表面光电压以及硅材料紫外表面光电压谱,并对实验数据进行了定性分析,证明了紫外表面光电压谱测试系统确实可以有效地获取材料在紫外波段的表面光电压。并研究了光电压池MIS电容结构对系统性能的影响,分析了测得表面光电压值与材料实际产生表面光电压值的关系,通过实验,研究了在待测样品和导电玻璃间添加无水乙醇对材料表面光电压测得值的影响。最后我们利用紫外表面光电压谱测试系统测试GaN材料在紫外波段的表面光压,在硅表面光电压理论模型的基础上推导了实验所用GaN材料的表面光电压理论模型,并进行了理论仿真。