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高温超导材料在强电和弱电领域中的应用都非常广泛,超导薄膜可在以薄膜基础的微电子学器件上首先突破应用。高温超导材料YBa2Cu4O8(简称Y-124)是一个稳定的完全化学计量比的氧化物,拥有近乎完美的晶体结构,结构中的孪晶及氧离子缺陷几乎可以忽略。并且相比Y-123,Y-124拥有较大的各向异性和较小的室温电阻,可以期望在Y-124薄膜上可能获得更大的LIV信号及更小的响应时间。因此对Y-124的研究将有助于进一步了解其性质和拓展其应用领域。本文采用脉冲激光沉积技术制备Y-124薄膜,对其特性进行研究。深入探讨了制备Y-124薄膜的两种退火工艺:原位退火以及后退火,并总结出了一套制备Y-124薄膜的工艺方法及技术参数。分别采用固相法及溶胶-凝胶方法制备了两种靶材,然后通过这两种靶材都制备a、c取向的Y-124薄膜。讨论了生长薄膜的一些重要工艺参数,原位退火包括生长温度、生长氧压、退火温度、退火氧压及退火时间;后退火讨论了退火温度、退火时间、退火氛围对薄膜结构及性能的影响。通过实验发现,原位退火能够适当改变薄膜的结晶质量,影响薄膜性能;而后退火则能够改变薄膜结晶状态,影响薄膜生长取向。对于固相法合成靶材原位退火的方法,在500℃、80Pa氧压下沉积,700℃、1 atm氧压下退火而制备的a取向的Y-124薄膜其衍射峰最强,质量最好,且R-T曲线较为接近正斜率,室温电阻较小;在无粉体覆盖及流动氧气氛、退火温度750℃、退火时间12小时的条件下后退火制备出薄膜为c取向生长的Y-124单相薄膜,其衍射峰最强。对于sol-gel法合成靶材原位退火的方法,在600℃、80Pa氧压下沉积,700℃、1 atm氧压下退火12小时制备出薄膜,其R-T曲线为正斜率且拥有较小的室温电阻;在无粉体覆盖及流动氧气氛、退火温度725℃、退火时间12小时的条件下后退火制备出c取向的Y-124单相薄膜,其衍射峰最强。