透明薄膜晶体管(TFT)是广泛应用在平板显示和透明电路等领域的电子器件。随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展,硅基TFT已经不能很好的满足其在工业上的应用,主要原因是硅基TFT有着迁移率太低(<1cm2/V s)、对可见光敏感等缺点。金属氧化物TFT,尤其是ZnO基TFT以其迁移率高、开口率低等优点成为了硅基TFT的理想替代品。但是,金属氧化物TFT也存在一些问题,如性能不稳定,迁移率还不足够高等缺点,这些缺点限制了金属氧化物TFT的进一步发展。针对金属氧化物TFT迁移率还不足够高等问题,我们研制了LiMgZnO-TFT,主要研究工作如下：一、研究了退火温度对LiMgZnO-TFT性能的影响,发现退火温度800℃时,器件性能最佳,迁移率为3.03cm2/V s,阈值电压为17V,开关比为4.1E+06;二、研究了沟道长度对LiMgZnO-TFT性能的影响,发现沟道长度最小为50um时,器件性能最佳,迁移率为9.85cm2/V s,阈值电压7V,开关比为5E+06；三、研究了有源层厚度对LiMgZnO-TFT性能的影响,测得有源层厚度为35nm时,器件性能最佳,迁移率为10.83cm2/Vs,阈值电压为-18V,开关比为9.49E+06；四、研究了器件制备过程中氧气流量对LiMgZnO-TFT性能的影响,发现氧气流量为3SCCM时,器件性能最佳,迁移率为12.8cm2/V s,阈值电压为-15V,开关比为2.41E+07。