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新型金属卤化物钙钛矿材料具有载流子迁移率高、发光峰窄、带隙调控方法简单、可溶液法制备、成本低廉等优点,有望成为下一代显示技术的发光层材料。虽然钙钛矿发光二极管(Light-emitting diode,LED)的效率在近几年不断提高,已经接近有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)的效率。但是,为实现钙钛矿发光器件的应用,目前还存在一些急需解决的问题,如钙钛矿材料的稳定性差、器件性能的重现性低等。本论文主要对钙钛矿发光二极管的钙钛矿材料及表界面进行优化,设计并制备了一种新型的柔性透明导电基底,并在该基底上制备了钙钛矿发光器件。主要研究内容包括:1.全无机钙钛矿发光层表面缺陷态的钝化。相比有机无机杂化钙钛矿材料,全无机钙钛矿材料具有更好的热稳定性。但是全无机钙钛矿仍然存在很多问题,如结晶性差、缺陷态密度高、对湿度敏感等,限制着其电致发光器件性能的进一步提升。大量缺陷态的存在造成注入的载流子被限制在缺陷陷阱中,自由激子快速湮灭,使得非辐射复合严重,最终降低了器件的电致发光效率。为降低钙钛矿薄膜的缺陷态密度,提高薄膜覆盖率,我们通过在全无机钙钛矿的表面利用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)的方法制备一层超薄氧化铝层来钝化钙钛矿表面的缺陷,并使薄膜覆盖率增加,提高了器件性能,大幅度提升了基于CsPbBr3的全无机钙钛矿LED的器件效率。2.有机无机杂化钙钛矿发光器件的界面调控。目前,大量研究工作集中在有机无机杂化钙钛矿LED器件中。但是,溶液法制备有机无机杂化钙钛矿LED器件的过程中,溶剂经常对薄膜进行二次溶解,带来了如下问题:已经沉积在基底上的单层或多层薄膜可能会在沉积过程被下一层薄膜中的溶剂溶解,造成薄膜表面形貌改变,形成针孔等,这对钙钛矿的成膜有不利影响,对器件性能有很大的制约。我们通过在空穴传输层(Hole transport layer,HTL)和钙钛矿发光层(Emission layer,EML)之间使用ALD方法沉积一层超薄氧化铝层,解决了以上问题,提高了有机无机杂化钙钛矿LED的电致发光效率和器件的重复性。另外,添加了氧化铝层之后基底的表面张力变大,使得钙钛矿前驱体溶液更容易在HTL基底上浸润,改善了钙钛矿薄膜的表面形貌和结晶,形成具有较少缺陷态的高质量钙钛矿薄膜。此外,氧化铝层可以降低钙钛矿LED中的空穴传输速率,形成平衡的电子和空穴注入,以减少由于大量空穴聚集造成的非辐射复合。我们针对加入ALD氧化铝薄膜的LED器件进行了光学数值模拟,出光模拟结果表明,氧化铝层具有适当的光学折射率,提高了钙钛矿层发光在器件出光方向的耦合效率。基于以上几点改善,我们得到了高效的绿色钙钛矿LED,器件外量子效率(External quantum efficiency,EQE)达到17.0%。3.基于新型柔性透明导电基底的有机无机钙钛矿发光器件。随着智能手机和平板电脑的迅速发展,人们对显示设备的要求不断提高,促进了多种柔性显示器件的迅速发展。但传统氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)透明导电衬底的耐弯折性较差,因此研发低方阻、耐弯折的柔性透明导电电极材料具有重要意义。基于微纳压印技术的金属微栅网格是柔性透明导电电极的一种,具有低方阻和高光透过率等优点。但是,现有基于纳米银颗粒导电线路构建的埋栅金属网格的柔性仍有待提高,在多次弯折后电阻大幅增加。为提高金属网格透明电极的柔性,我们通过将液态金属铟镓合金与纳米银颗粒均匀混合,制成银-铟镓导电浆料,作为埋栅网格电极的导电材料,在塑料基底聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate,PET)上构筑了耐弯折性良好的柔性透明导电电极,并成功在该柔性透明导电衬底上制备了钙钛矿LED器件。此柔性透明电极的方阻为1.87 Ω/□,透射率约为90%,可与ITO媲美。由于液态金属在银纳米颗粒之间起到了柔性焊接的作用,避免了银纳米颗粒在弯折过程中开裂造成的电阻升高现象,改善了金属网格电极在经历多次弯折后电阻的稳定性。为制备高效率钙钛矿LED器件,我们使用ALD方法沉积了一层很薄的氧化铝界面层,有效抑制了漏电流,提高了器件中电流分布的均匀性,制备了电流效率(Current efficiency,CE)为0.5%的柔性钙钛矿LED器件。