本文采用纳米SiO₂，SiO₂溶胶以及SiC为原料，分别用球磨法和喷雾造粒法制备了纳米SiO₂包覆SiC的复合粉体，将复合粉体干压成片状后进行常压烧结制得SiC/SiO₂复合材料。实验利用激光粒度分析，XRD，SEM和EDS等手段对两种方法制备的SiC/SiO₂复合粉体及烧结试样进行了表征和分析，利用网络适量分析仪测试了烧结试样的介电性能，并在喷雾造粒方法制备SiC/SiO₂复合粉体的实验中，探究了SiC/SiO₂复合粉体的造粒工艺。采用机械球磨法制备了纳米二氧化硅包覆SiC结构的SiC/SiO₂复合粉体，对不同质量配比的复合粉体进行压制成型后，在流通氩气的保护下，分别于900℃,1000℃,1100℃和1200℃进行常压烧结。结果显示，所有组分的SiC/SiO₂复合材料的介电常数与SiC相比，均有不同程度的下降。介电常数变化与烧结密度曲线表现出一致性，当温度由900℃升至1000℃时，所有试样烧结密度降低，介电常数降低；继续升高温度，则烧结密度增加，介电常数也增加。介电损耗则在温度升高过程中一直呈降低趋势。当SiC：SiO₂质量比为1:2时，烧结温度为1000℃时，所得复合材料的介电常数最低为4.47（1MHz下），此时介电损耗为0.11，烧结密度为1.34g/cm3。在用喷雾造粒法制备SiC/SiO₂复合粉体的工艺探索中，控制喷雾压力，进、出风温度、进料速度以及喷嘴孔径等参数保持不变,研究了SiC/SiO₂浆料固含量、SiC颗粒度大小以及用甲基纤维素（MC）和聚乙烯醇（PVA）分别作为粘结剂时对最终造粒粉体颗粒形貌的影响。结果表明，制备SiC/SiO₂复合粉体的最佳工艺为：浆料的固含量40%，SiC粒径控制在1.0μm左右，选用聚乙烯醇（PVA）作为粘结剂。通过喷雾造粒法制备了纳米SiO₂包覆SiC结构的复合粉体。造粒法制备的复合粉体烧结密度均随着烧结温度的升高而增加，介电常数也随温度升高一直呈增加的趋势。当SiC：SiO₂质量比为1：2、烧结温度为900℃时，得到的试样介电常数最低，1MHz下为3.45，此时的介电损耗最低，为0.024，烧结密度为1.41g/cm3。