近年来,无线通讯系统得到了蓬勃的发展,与此同时也对射频集成电路的研究与开发提出了更高的要求。半导体工艺的不断进步,实现了电感和变容管等无源器件的片上化,从而使压控振荡器的单片集成成为可能。在低功耗下设计噪声性能和调谐范围满足系统应用要求的全集成压控振荡器,仍然是目前射频集成研究领域的重要目标。本文基于SiGe HBT器件结构理论,利用SiGe HBT SPICE噪声模型,结合三极管小信号等效模型,分析研究了SiGe HBT器件的电流噪声模型。论述了压控振荡器的设计原理,探讨了压控振荡器的重要技术指标,尤其研究了相位噪声的基本原理。并结合变容二极管的工作原理,分析研究了振荡器增益随控制电压变化的关系,提出了改变增益随控制电压变化趋势的方法,设计了提高振荡器线性度的谐振回路。研究了电路中主要的器件,分析了各器件的噪声模型,同时结合SiGe HBT器件的噪声模型和MOS管噪声模型,运用电路分析原理,得到负阻差分对管和谐振槽路输出噪声模型,并基于线性时变相位噪声理论,推导出了所设计的差分互补结构的压控振荡器1/ f 2区相位噪声模型。最后利用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,以低压、低功耗、低相位噪声和较大调谐范围为原则设计了一种应用于5GHz频率段,线性度较好的压控振荡器,该振荡器采用了优化线性度的谐振回路。电路的工作电压为3.3V,核心电路的直流功耗约2.9mW。通过仿真测试该振荡器的中心频率为5.5GHz,频率变化范围为5.13GHz到5.93GHz,调谐范围14.5%,在频率偏移1MHz处的相位噪声为-110dBc/Hz。