本论文主要围绕Si衬底上，ZnO薄膜的MOCVD异质外延开展了研究，通过对MOCVD设备的改造、ZnO薄膜生长条件的探索以及Si衬底上各种过渡层生长ZnO薄膜的研究，最终利用3C-SiC作为过渡层，在Si(111)衬底上实现了单晶ZnO薄膜的异质外延；并得到了很好的光电特性。同时，利用ZnO/SiC/Si薄膜，成功地制备了性能优良的光电探测器原型器件。　　　　 利用连通式双反应室MOCVD系统制备了单晶SiC薄膜，且首次利用同一设备制备的SiC作为过渡层，成功地实现了单晶ZnO薄膜的异质外延。同时，制备得到的ZnO薄膜具有很好的光电特性，并利用ZnO/SiC/Si结构制备了性能优良的光电探测器原型器件。这些成果，在国内外均处于领先地位。首次通过N2总流量对ZnO薄膜生长的研究，得到ZnO薄膜生长与N2总流量之间的关系；并发现在大的N2流量下生长的ZnO薄膜，有可能出现(N)o的受主能级，能级位置在价带顶195meV左右。